[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其对基板进行蚀刻处理，其特征在于，该基板处理装置具备：

腔室，其在内部具有处理空间；

基板保持部，其将基板保持于所述腔室内的既定位置；

蚀刻液供给部，其将蚀刻液供给至所述基板保持部所保持的所述基板；

旋转部，其使所述基板保持部绕既定的旋转轴线进行旋转；

温度分布取得部，其取得所述腔室内的配置于所述既定位置的情况下所述基板所占有的基板区域周围的周边区域的温度分布；以及

特征值运算部，其从所述温度分布算出使用了所述蚀刻液的蚀刻处理所致的所述基板的蚀刻量相关的特征值。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置还包括：蚀刻判定部，其基于所述特征值与事先决定的阈值的比较，来判定对所述基板进行的蚀刻处理的良否。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述特征值运算部从表示所述温度分布与所述蚀刻量的关系的关系式算出所述特征值。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置还具备：关系式生成部，其基于所述蚀刻处理中的规定定时的所述温度分布以及进行该蚀刻处理后的所述基板的蚀刻量，来生成所述关系式。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述特征值运算部通过将所述蚀刻处理中的所述规定定时所对应的定时的所述温度分布代入到所述关系式来算出所述特征值。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述蚀刻量是以所述旋转轴线为中心的、不同半径的各个圆周上的蚀刻量。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度分布取得部具有：热像仪，其将配置有由所述基板保持部所保持的基板的区域包含在拍摄区域内；

所述温度分布为热像。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述关系式为回归函数，所述回归函数将构成所述热像的各个像素值所示的温度作为独立变量，将所述不同半径的各个圆周上的蚀刻量作为从属变量。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述特征值运算部从所述基板保持部未保持所述基板的状态下所取得的所述温度分布算出所述特征值。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还具备：温度变更部，其根据所述特征值来变更配置于所述既定位置的基板及所述周边区域的温度。

11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还具备：时间表变更部，其根据所述特征值来变更时间表，所述时间表规定了将所述基板搬入到所述腔室的时间。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述特征值运算部从所述基板保持部保持所述基板的状态下所取得的所述温度分布算出所述特征值。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还具备：温度变更部，其根据所述特征值来变更配置于所述既定位置的基板及所述周边区域的温度。

14.根据权利要求12或13所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还具备：时间表变更部，其根据所述特征值来变更时间表，所述时间表规定了将所述基板搬入到所述腔室的时间。

15.一种基板处理方法，其特征在于，包含如下步骤：

a)将基板保持于腔室内的既定位置；

b)使通过步骤a)位于所述既定位置的所述基板绕旋转轴线进行旋转；

c)将蚀刻液供给至通过步骤b)旋转的所述基板的表面；

d)取得所述腔室内的配置于所述既定位置的情况下所述基板所占有的基板区域周围的周边区域的温度分布；以及

e)从通过步骤d)所取得的所述温度分布算出特征值，所述特征值用于评价对所述基板进行的使用了所述蚀刻液的蚀刻处理。