[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

本发明提供一种较佳地进行基板的蚀刻处理的技术。基板保持台(20)将基板(W)保持于既定位置。蚀刻液供给部(37)及喷嘴(30)将蚀刻液供给至既定位置的基板(W)。旋转马达(22)使基板保持台(20)绕既定的旋转轴线(Ax1)进行旋转。热像仪(70)取得腔室(10)内的处理空间(TS1)的基板W配置于既定位置的情况下所占有的基板区域的周围的周边区域(PA1)的热像(温度分布)。特征值运算部(902)从热像算出特征值，特征值与使用了蚀刻液的蚀刻处理所致的蚀刻量相关。蚀刻判定部(9031)基于所算出的特征值来判定蚀刻处理的可否。

技术领域

本发明涉及一种对基板进行蚀刻(etching)的技术。在成为处理对象的基板中例如包含有半导体基板、液晶显示设备及有机EL(Electroluminescence；电致发光)显示设备等FPD(Flat Panel Display；平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板、印刷电路基板等。

背景技术

以往，已有将蚀刻液供给至基板的表面来进行蚀刻的技术。作为与本发明相关联的先前技术，例如有专利文献1、2所记载的技术。专利文献1、2公开了如下的技术：监视基板表面的温度以及当基板的温度到达目标温度时停止蚀刻处理液的供给，由此在基板处于适当的温度的状态下进行蚀刻处理。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2015-191895号公报。

专利文献2：日本特开2017-201723号公报。

发明内容

发明要解决的课题

然而，蚀刻处理不仅可能受基板的温度的影响，还有可能受到基板周围的温度的影响。现有技术是仅监视基板表面的温度而并未考虑基板周围的环境温度带给蚀刻的影响。因此，有可能因来自基板周围的构件的辐射热等而在蚀刻处理中发生不良。

本发明的目的在于，提供一种较佳地进行基板的蚀刻处理的技术。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题，第1方式的对基板进行蚀刻处理的基板处理装置具备：腔室(chamber)，其在内部具有处理空间；基板保持部，其将基板保持于所述腔室内的既定位置；蚀刻液供给部，其将蚀刻液供给至所述基板保持部所保持的所述基板；旋转部，其使所述基板保持部绕既定的旋转轴线进行旋转；温度分布取得部，其取得所述腔室内的配置于所述既定位置的情况下所述基板所占有的基板区域周围的周边区域的温度分布；以及特征值运算部，其从所述温度分布算出使用了所述蚀刻液的蚀刻处理所致的所述基板的蚀刻量相关的特征值。

关于2方式，在第1方式的基板处理装置中，该基板处理装置还包括：蚀刻判定部，其基于所述特征值与事先决定的阈值的比较，来判定对所述基板进行的蚀刻处理的良否。

关于第3方式，在第1方式或第2方式的基板处理装置中，所述特征值运算部从表示所述温度分布与所述蚀刻量的关系的关系式算出所述特征值。

关于第4方式，在第3方式的基板处理装置中，该基板处理装置还具备：关系式生成部，其基于所述蚀刻处理中的规定定时的所述温度分布以及进行该蚀刻处理后的所述基板的蚀刻量，来生成所述关系式。

关于第5方式，在第4方式的基板处理装置中，所述特征值运算部通过将所述蚀刻处理中的所述规定定时所对应的定时的所述温度分布代入到所述关系式来算出所述特征值。

关于第6方式，在第3方式至第5方式中任一方式的基板处理装置中，所述蚀刻量是以所述旋转轴线为中心的、不同半径的各个圆周上的蚀刻量。

关于第7方式，在第1方式至第6方式中任一方式的基板处理装置中，所述温度分布取得部具有：热像仪，其将配置有由所述基板保持部所保持的基板的区域包含在拍摄区域内；所述温度分布为热像。