[发明专利]用于共同制造多个半导体结构的方法

说明书

本发明涉及一种用于共同制造多个半导体结构(8)的方法。所述方法包括：提供由具有主表面的载体(2)、布置于载体(2)的主表面上的介电层(3)和布置于介电层(3)上的多个晶体半导体生长岛(4)形成的衬底。所述方法还包括：在生长岛上形成至少一个晶体半导体有源层(6)。根据本发明，所述方法包括：在形成有源层(6)的步骤之后，在有源层(6)和生长岛(4)中形成沟槽(7)，以界定多个半导体结构(8)。

技术领域

本发明涉及一种用于共同制造多个半导体结构的方法。

背景技术

例如，从文献FR2992465中已知一种用于共同制造多个半导体结构的方法。在该文献中提供了衬底，所述衬底由载体、由位于载体的主表面上的介电层和由多个InGaN制成的至少部分地弛豫的生长岛形成。接着，在生长岛上形成半导体层的堆叠，以生产发光二极管(LED)。该堆叠包括n型接触层、有源层和p型接触层。在引用的文献中，岛呈正方形并且具有1mm尺寸的边长。

例如在文献EP2151852和EP2151856中描述的，由晶体半导体材料形成的生长岛的驰豫可以在用于制造衬底的预备工艺期间获得。因此，可以获得具有种子表面的生长岛，该种子表面能够容纳形成半导体结构的层的堆叠，并且可以选择其晶格参数。所选择的晶格参数不能总是由以合理成本获得的块体半导体的表面提供。因此，用于制造衬底的预备工艺特别有利。

在文献WO2018060570中观察到，形成在诸如前述法国文献中描述的“包括岛的”衬底上的由晶体半导体制成的层(特别是InGaN层)可能具有不均匀的厚度。具体地说，岛的边缘上的层的厚度可能与更靠近岛的中心的层的相对恒定的厚度非常不同。这种厚度的差异可能从生长岛的外围边缘延伸约1μm的距离。

因此，当岛的尺寸较小时，例如当岛内接在直径为0.1μm至5μm之间的圆内时，难以形成厚度非常可控的层。此外，旨在形成于这些小尺寸的生长岛上的半导体结构并不总是工作。

因此，以高产量共同生产多个小尺寸的半导体结构提出了本发明旨在解决的问题。

发明内容

为了实现这一目的，本发明的主题涉及一种用于共同制造多个半导体结构的方法，所述方法包括：

-提供由具有主表面的载体、位于载体的主表面上的介电层和位于介电层上的多个晶体半导体生长岛形成的衬底；以及

-在生长岛上形成晶体半导体有源层。

根据本发明，所述方法包括：在形成有源层的步骤之后，在有源层和生长岛中形成沟槽，以界定多个半导体结构。

通过在相对较大尺寸的生长岛上形成有源层和通过在已经形成了有源层之后界定半导体结构(其具有相对较小的尺寸)，生长岛的边缘处的不均匀性的影响被限制到有限数量的半导体结构，这使得能够以高制造产量获得结构。

根据本发明的其它有利的和非限制性的特征，其可以单独实现或以任何技术上可行的组合实现：

·生长岛直接位于介电层上并与所述介电层接触；

·有源层是III-V型材料；

·生长岛由InGaN制成；

·沟槽的形成使得介电层暴露；

·沟槽具有0.1μm至5μm之间的宽度；

·半导体结构具有0.1μm至3μm之间的主尺寸；

·生长岛具有5微米至2毫米之间的主尺寸；

·生长岛彼此间隔大于或等于5微米的距离；

·所述方法包括去除至少一个生长岛(4)和位于岛上的有源层(6)的外围段。

附图说明