[发明专利]成像装置在审

专利信息
申请号: 201980068538.7 申请日: 2019-10-09
公开(公告)号: CN112913022A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 斋藤聪哲;斋藤卓;藤井宣年 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/304
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 邓珍;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 成像 装置
【权利要求书】:

1.一种成像装置,包括:

成像元件和半导体元件,所述半导体元件与所述成像元件相对设置并电气连接到所述成像元件,其中

所述半导体元件包括:

设置在中央部的配线区域和在所述配线区域的外侧的周边区域;

配线层,所述配线层在所述配线区域中具有配线;

半导体基板,所述半导体基板隔着所述配线层与所述成像元件相对,并且从所述配线层侧依次具有第一面和第二面;和

抛光调整部,所述抛光调整部包括抛光速率比所述半导体基板的构成材料的抛光速率低的材料,所述抛光调整部配置在所述周边区域的至少一部分中,并且从所述第二面沿所述半导体基板的厚度方向设置。

2.根据权利要求1所述的成像装置,其中

所述半导体基板的平面形状包括角部,和

所述抛光调整部至少设置在所述角部。

3.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述抛光调整部设置成围绕所述配线区域。

4.根据权利要求1所述的成像装置,其中多个所述抛光调整部彼此分离地配置在所述配线区域的周围。

5.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述抛光调整部包括

第一抛光调整部,和

第二抛光调整部,所述第二抛光调整部配置在比所述第一抛光调整部更远离所述配线区域的位置处。

6.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述抛光调整部设置在所述半导体基板和所述配线层中。

7.根据权利要求1所述的成像装置,还包括隔着所述半导体元件与所述成像元件相对的支撑基板。

8.根据权利要求7所述的成像装置,还包括在所述支撑基板和所述成像元件之间的包围所述半导体元件的埋入层。

9.根据权利要求1所述的成像装置,包括多个所述半导体元件。

10.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述抛光调整部包含氮化硅或氧化硅。

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