[发明专利]光学调制器的控制在审

专利信息
申请号: 201980068689.2 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN112867964A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: R·M·斯特鲁姆;R·罗基斯基;辛然;C·J·莱本伯格 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;H05G2/00;H01S3/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑振
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学 调制器 控制
【说明书】:

一种用于极紫外线(EUV)光源的装置,包括光学调制系统,该光学调制系统包括电光材料,该光学调制系统被配置为接收脉冲光束,该脉冲光束包括在时间上彼此分开的多个光脉冲;以及控制系统,该控制系统被配置为控制电源,使得在第一光脉冲入射在电光材料上的同时,向电光材料施加第一电脉冲,在第二光脉冲入射在电光调制器上的同时,向电光材料施加第二电脉冲,并且在第一光脉冲入射在电光材料上之后并且在第二光脉冲入射在电光材料上之前,向电光材料施加中间电脉冲。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月18日提交的题为“光学调制器的控制”的美国申请号62/747,518的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及光学调制器的控制。例如,可以控制光学调制器中的光学泄漏。光学调制器可以是极紫外(EUV)光源和/或光刻系统的一部分。

背景技术

极紫外线(“EUV”)光(例如,具有以下要求的波长的电磁辐射:波长为100纳米(nm)或更小(有时也称为软X射线)并且包括波长为例如20nm或更小、介于5nm至20nm之间或介于13nm与14nm之间的光)可以用于光刻工艺以例如在硅晶片的衬底中通过在抗蚀剂层中引发聚合而产生极小特征。

产生EUV光的方法包括但不限于:对包括例如氙、锂或锡等元素的材料进行转换,该材料在等离子体态下具有处于EUV范围内的发射线。在一种这样的方法(通常称为激光产生等离子体(“LPP”))中,所需的等离子体可以通过使用可称为驱动激光的放大光束对例如微滴、板、带、流或材料簇的形式的目标材料进行照射来产生。对于该过程,通常在密封容器(例如,真空腔室)中产生等离子体,并且使用各种类型的计量设备对该等离子体进行监测。

发明内容

在一个总体方面中,一种用于极紫外(EUV)光源的装置包括光学调制系统,该光学调制系统包括电光材料,该光学调制系统被配置为接收脉冲光束,该脉冲光束包括在时间上彼此分开的多个光脉冲;以及控制系统,该控制系统被配置为控制电源,使得:在第一光脉冲入射在电光材料上的同时第一电脉冲被施加向电光材料,在第二光脉冲入射在电光材料上的同时第二电脉冲被施加至电光材料,并且在第一光脉冲入射在电光材料上之后并且在第二光脉冲入射在电光材料上之前,中间电脉冲被施加至电光材料。

各实现方式可能包括以下特征中的一个或多个特征。施加到电光材料的第一电脉冲可以在电光材料中引起物理效应,并且当向电光材料施加中间电脉冲时,物理效应可以存在于电光材料中。物理效应可以包括在电光材料中行进的声波和/或机械应变。向电光材料施加中间电脉冲可能会减少物理效应。

第一光脉冲和第二光脉冲可以是脉冲光束中的连续光脉冲。

控制系统可以被配置为控制第一电脉冲与中间电脉冲之间的时间量。

电光材料可以包括半导体。

电光材料可以包括绝缘体。

电光材料可以包括电光晶体。

该装置还可以包括至少一个基于偏振的光学元件。

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