[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

支撑部件，其具有朝向厚度方向的支撑面；

导电部件，其具有在所述厚度方向上朝向与所述支撑面相同的一侧的主面、和朝向与所述主面相反的一侧的背面，并且以所述背面与所述支撑面对置的方式与所述支撑部件接合；以及

半导体元件，其与所述主面接合，

还具备覆盖所述支撑面的至少一部分的第一金属层、和覆盖所述背面的第二金属层，

所述第一金属层和所述第二金属层通过固相扩散彼此接合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二金属层具有：第一层；其覆盖所述背面；以及第二层，其在所述厚度方向上相对于所述第一层位于与所述导电部件相反的一侧，

所述第一金属层和所述第二层通过固相扩散彼此接合。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一层的厚度比所述第二层的厚度大，

所述第一层的维氏硬度比所述第二层的维氏硬度小。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

沿着所述厚度方向观察，在所述导电部件的周缘部形成有从所述背面向所述厚度方向凹陷的凹部，

所述凹部与所述第一层相接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

沿着所述厚度方向观察，所述第一层的中央部的最大厚度比所述第一层的周缘部的最大厚度小。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一金属层具有第三层，该第三层夹在所述第一层和所述第二层之间，

所述第三层的厚度比所述第一层和所述第二层各自的厚度小。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二金属层具有：第一层；以及一对第二层，其在所述厚度方向上位于所述第一金属层的两侧，

所述背面与所述一对第二层中的一方的相应第二层通过固相扩散彼此接合，

所述第一金属层与所述一对第二层中的另一方的相应第二层通过固相扩散彼此接合。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一层的厚度比所述一对第二层各自的厚度大，

所述第一层的维氏硬度比所述一对第二层各自的维氏硬度小。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

沿着所述厚度方向观察，在与所述第二金属层的周缘部相接的第一金属层形成有向所述厚度方向弯曲的第一弯曲部。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

沿着所述厚度方向观察，在所述一对第二层的至少任一个的周缘部形成有向所述厚度方向弯曲的第二弯曲部，

在所述厚度方向上，所述第二弯曲部弯曲的朝向与所述第一弯曲部弯曲的朝向相同。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一金属层具有一对第三层，该一对第三层夹在所述第一层和所述一对第二层各自之间，

所述一对第三层各自的厚度比所述第一层和所述一对第二层各自的厚度小。

12.根据权利要求2至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述支撑部件包含具有电绝缘性的第一支撑板和所述支撑面，并且具有与所述第一支撑板层叠的金属制的第二支撑板，

所述导电部件是金属板，

所述导电部件的厚度比所述第二支撑板的厚度大。