[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，其具备支撑部件、导电部件和半导体元件。所述支撑部件具有朝向厚度方向的支撑面。所述导电部件具有：在所述厚度方向上朝向与所述支撑面相同的一侧的主面、以及朝向与所述主面相反的一侧的背面。所述导电部件以所述背面与所述支撑面对置的方式与所述支撑部件接合。所述半导体元件与所述主面接合。所述半导体装置还具备第一金属层和第二金属层。所述第一金属层覆盖所述支撑面的至少一部分。所述第二金属层覆盖所述背面。所述第一金属层和所述第二金属层通过固相扩散彼此接合。

技术领域

本公开涉及具备半导体元件的半导体装置，尤其涉及半导体元件为开关元件的半导体装置。

背景技术

以往广泛公知搭载有MOSFET或IGBT等半导体元件的半导体装置。专利文献1公开了搭载有这种半导体元件的半导体装置的一例。在该半导体装置中，在支撑部件(在专利文献1中是绝缘基板11)上配置有由金属箔构成的导电部件(在专利文献1中是金属图案4a、4b)。半导体元件与该导电部件接合。

在使用专利文献1公开的半导体装置时从半导体元件发热，因此导电部件的温度上升。由金属箔构成的导电部件的厚度比较薄，因此具有与厚度方向正交的方向上的单位长度的热电阻较高的特性。因此，导电部件的温度降低比较缓慢，在位于半导体元件附近的该导电部件中，存在高温状态局部性地持续的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2009-158787号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本公开针对上述情况的课题在于，提供一种能够提高散热性的半导体装置。

用于解决课题的方案

根据本公开提供的半导体装置，具备：支撑部件，其具有朝向厚度方向的支撑面；导电部件，其具有在所述厚度方向上朝向与所述支撑面相同的一侧的主面、和朝向与所述主面相反的一侧的背面，并且以所述背面与所述支撑面对置的方式与所述支撑部件接合；以及半导体元件，其与所述主面接合，还具备覆盖所述支撑面的至少一部分的第一金属层、和覆盖所述背面的第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层通过固相扩散彼此接合。

以下基于附图对本公开提供的半导体装置的具体结构进行详细说明。

附图说明

图1是本公开第一实施方式的半导体装置的立体图。

图2是图1所示的半导体装置的俯视图。

图3是与图2对应的俯视图且透过了封装树脂。

图4是图1所示的半导体装置的仰视图。

图5是沿着图3的V-V线的剖视图。

图6是沿着图3的VI-VI线的剖视图。

图7是图3的局部放大图。

图8是沿着图7的VIII-VIII线的剖视图。

图9A是图8的局部放大图。

图9B是图8的局部放大图。

图9C是与图9B所示结构对应的局部放大图，且示出了沿着厚度方向观察时的第二金属层的中央部。

图9D是与图9B所示结构对应的局部放大图，且示出了沿着厚度方向观察时的第二金属层的周缘部。

图10A是本公开第一实施方式的变形例的半导体装置的局部放大剖视图。

图10B是本公开第一实施方式的变形例的半导体装置的局部放大剖视图。