[发明专利]多孔质陶瓷、半导体制造装置用构件、簇射板和插塞在审
| 申请号： | 201980069120.8 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN112889135A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 松藤浩正 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C04B35/505;C04B38/06;H05H1/24;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴克鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多孔 陶瓷 半导体 制造 装置 构件 簇射板 | ||
1.一种多孔质陶瓷，其中，含有锆酸钇和氧化钇，以锆酸钇和氧化钇中的至少任意一种为主成分。
2.根据权利要求1所述的多孔质陶瓷，其中，含有所述锆酸钇作为主成分，还含有氧化钇。
3.根据权利要求1所述的多孔质陶瓷，其中，含有所述氧化钇作为主成分，还含有锆酸钇。
4.根据权利要求1所述的多孔质陶瓷，其中，含有所述锆酸钇和所述氧化钇作为主成分。
5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的多孔质陶瓷，其中，气孔面积占有率为20～45面积％。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的多孔质陶瓷，其中，平均气孔径为1μm～6μm。
7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的多孔质陶瓷，其中，由X射线衍射得到的锆酸钇YZrO3的(222)面的衍射峰I1偏向小角度侧，氧化钇Y2O3的(222)面的衍射峰I2偏向大角度侧。
8.根据权利要求7所述的多孔质陶瓷，其中，所述衍射峰I1的偏移量Δ1和所述衍射峰I2的偏移量Δ2的绝对值均为0.5°以下。
9.根据权利要求1至权利要求8中任一项所述的多孔质陶瓷，其中，含有铁、钴和镍中的至少任意一种，所述金属元素的含量的合计为0.1质量％以下。
10.一种半导体制造装置用构件，其具备权利要求1至权利要求9中任一项所述的多孔质陶瓷而成。
11.一种簇射板，其由权利要求10所述的半导体制造装置用构件形成。
12.一种插塞，其由权利要求10所述的半导体制造装置用构件形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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