[发明专利]多孔质陶瓷、半导体制造装置用构件、簇射板和插塞

说明书

本发明的多孔质陶瓷含有锆酸钇和氧化钇，以其中至少任意一种为主成分。半导体制造装置中的簇射板或插塞等的半导体制造装置用构件由上述多孔质陶瓷形成。

技术领域

本发明涉及多孔质陶瓷和具备该多孔质陶瓷而构成的簇射板、插塞等的半导体制造装置用构件。

背景技术

历来，在等离子体蚀刻装置等的半导体制造装置中，如专利文献1所示，进行如下操作：在载置于基板支承组件上的半导体晶元等的基板与用于导入等离子体生成用气体并向基板进行供给的簇射板(气体分配板)之间，施加高频电压而达到等离子体状态，在基板的表面成膜，或对形成于基板的表面的薄膜进行蚀刻。

该基板支承组件，在其厚度方向上，具备用于供给氦等冷却用气体的贯通孔，在此贯通孔中，插入有由AlO/SiO、AlO/MgO/SiO、SiC、SiN、AlN/SiO等的多孔质陶瓷制成的插塞。

另外，在专利文献2中提出有一种簇射板，其由含有氧化铝99.5重量％以上，气孔率为30～65％的陶瓷多孔质体制成。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018－162205号公报

专利文献2：日本特开2003－282462号公报

发明内容

本发明的多孔质陶瓷，含有锆酸钇和氧化钇，并以其中至少任意一种为主成分。

本发明的半导体制造装置用构件，具备上述的多孔质陶瓷而成。

本发明的簇射板，由上述的半导体制造装置用构件形成。

本发明的插塞，由上述的半导体制造装置用构件形成。

附图说明

图1是表示具备作为本发明的半导体制造装置用构件的簇射板和插塞等离子体处理装置的一部分的剖视图。

图2是配置在图1所示的等离子体处理装置的内部的基板支承组件的放大剖视图。

图3是表示本发明的多孔质陶瓷的X射线衍射图样的一例。

具体实施方式

以下，参照附图，对于本发明的实施方式详细说明。其中，在本说明书的全部图中，只要不发生混淆，对同一部分附加相同符号，并适时省略其说明。

图1是表示具备作为本发明的半导体制造装置用构件的簇射板和插塞的等离子体处理装置的一部分的剖视图。图2是配置在图1所示的等离子体处理装置的内部的基板支承组件的放大剖视图。

图1所示的等离子体处理装置20，例如是等离子体蚀刻装置，具备在内部配置半导体晶元等的被处理构件W的腔室1，在腔室1内的上侧配置有簇射板2，在下侧相对配置有基板支承组件3。

簇射板2具备：扩散部2a，所述扩散部2a是用于扩散等离子体生成用气体G的内部空间；气体供给部2b，所述气体供给部2b由具有大量用于将等离子体生成用气体G供给到腔室1内的气体通路(气孔)的多孔质陶瓷形成。

而且，从气体供给部2b以簇射状排出的等离子体生成用气体G，通过从高频电源15供给高频电力而成为等离子体，形成等离子体空间P。

在此，作为等离子体生成用气体G的例子，可列举SF₆、CF₄、CHF₃、ClF₃、NF₃、C₄F₈、HF等的氟系气体，Cl₂、HCl、BCl₃、CCl₄等的氯系气体。