[发明专利]微型发光二极管位置误差校正载体及微型发光二极管转移系统在审
申请号: | 201980069324.1 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN112889141A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 安范模;朴胜浩;边圣铉 | 申请(专利权)人: | 普因特工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国忠清南道牙山市屯浦面*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 位置 误差 校正 载体 转移 系统 | ||
1.一种微型发光二极管位置误差校正载体,包括:
装载槽,具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管;以及
非装载面,配置在所述装载槽的周边。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述底表面使用吸附力来吸附所述微型发光二极管。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述吸附力为真空吸入力、范德瓦耳斯力、静电力及磁力中的至少任一种。
4.一种微型发光二极管位置误差校正载体,包括:
引导部件,具有倾斜部与非装载面;以及
支撑部件,在所述引导部件的下部结合,以封闭所述倾斜部的下部来构成装载槽。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述支撑部件使用吸附力吸附微型发光二极管。
6.根据权利要求4所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述支撑部件包括具有任意的或垂直的气孔的多孔性部件,
对所述气孔施加真空以真空吸附微型发光二极管。
7.根据权利要求4所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述引导部件由弹性材质形成。
8.一种微型发光二极管转移系统,包括:
转移头,转移微型发光二极管;以及
微型发光二极管位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面,
配置在所述转移头的所述微型发光二极管中的与所述装载槽对应的所述微型发光二极管通过所述微型发光二极管位置误差校正载体进行转移,且与所述非装载面对应的所述微型发光二极管不转移到所述微型发光二极管位置误差校正载体。
9.一种微型发光二极管转移系统,包括:
基板,配置有微型发光二极管;以及
微型发光二极管位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面,
配置在所述基板的所述微型发光二极管中的与所述装载槽对应的所述微型发光二极管通过所述微型发光二极管位置误差校正载体进行转移,且与所述非装载面对应的所述微型发光二极管不转移到所述微型发光二极管位置误差校正载体。
10.一种微型发光二极管转移系统,包括:
微型发光二极管位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面;
电路基板,配置有与所述微型发光二极管的端子连接的接合焊盘;以及
转移头,将安装在所述微型发光二极管位置误差校正载体的所述微型发光二极管转移到所述电路基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造