[发明专利]微型发光二极管位置误差校正载体及微型发光二极管转移系统在审
申请号: | 201980069324.1 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN112889141A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 安范模;朴胜浩;边圣铉 | 申请(专利权)人: | 普因特工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国忠清南道牙山市屯浦面*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 位置 误差 校正 载体 转移 系统 | ||
本发明涉及一种可校正微型发光二极管的位置误差的微型发光二极管位置误差校正载体及使用所述微型发光二极管位置误差校正载体的微型发光二极管转移系统。所述微型发光二极管位置误差校正载体的特征在于包括:具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管的装载槽;以及配置在装载槽的周边的非装载面。
技术领域
本发明涉及一种校正微型发光二极管(LED)的位置的微型LED位置误差校正载体及包括其的微型LED转移系统。
背景技术
当前,显示器市场仍然以液晶显示器(LCD)为主流,但其中有机发光二极管(OLED)迅速地替代LCD并逐渐成为主流。在显示器企业参与OLED市场成为热潮的形势下,最近微型LED(Micro LED)(以下称为“微型LED”)显示器正逐渐成为另一种下一代显示器。微型LED不是指被成形的树脂等覆盖的封装类型,而是指从用于结晶生长的晶片切出的状态。LCD与OLED的核心原材料分别是液晶(Liquid Crystal)、有机材料,反之,微型LED显示器是将1微米~100微米单位的LED芯片本身用作发光材料的显示器。
科锐(Cree)公司在1999年申请有关“提高光输出的微型发光二极管阵列”的专利(注册专利公报注册编号第0731673号)而出现术语微型LED以来,相关研究论文接连发表,并且进行研究开发。作为为了将微型LED应用于显示器而应解决的课题,需要开发一种使微型LED元件以挠性(Flexible)原材料/元件为基础的定制型微芯片,并需要一种微米尺寸的LED芯片的转移(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示像素电极的技术。
特别是,关于将微型LED元件移送到显示基板的转移(transfer)方面,由于LED大小变小到1微米~100微米(μm)单位,无法使用以往的取放(pickplace)设备,因此需要以更高精密度移送的转移头技术。关于这种转移头技术,提出了在以下阐述的几种结构。
美国的勒克斯维(Luxvue)公司提出了一种使用静电头(electrostatic head)转移微型LED的方法(公开专利公报公开编号第2014-0112486号,以下称为“现有发明1”)。现有发明1的转移原理是通过对由硅材质制成的头部分施加电压并通过带电现象而与微型LED产生密着力的原理。
美国的X-赛勒普(X-Celeprint)公司提出了一种应用具有弹性的高分子物质作为转移头而将晶片上的微型LED移送到期望的基板的方法(公开专利公报公开编号第2017-0019415号)。
韩国光技术院提出了一种使用纤毛接着结构头来转移微型LED的方法(注册专利公报注册编号1754528号)。
韩国机械研究院提出了一种在辊上涂覆接着剂来转移微型LED的方法(注册专利公报注册编号第1757404号)。
三星显示器提出了一种在阵列基板浸入于溶液中的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压,通过静电感应现象将微型LED转移到阵列基板的方法(公开专利公报第10-2017-0026959号)。
LG电子提出了一种在多个拾取头与基板之间布置头保持器并随着多个拾取头的运动使其形状变形以向多个拾取头提供自由度的方法(公开专利公报第10-2017-0024906号)。
然而,即使使用具有高精密度的微型LED转移头,由于配置有微型LED的第一基板上的微型LED对准位置的误差,也会发生转移错误问题。具体来说,如果在第一基板上的微型LED对准存在位置误差,则在转移头吸附微型LED时会吸附具有位置误差的微型LED。因此,即使在微型LED转移到的第二基板上的接合焊盘的制造产率高,也会带来不能将各个微型LED准确地定位在各个接合焊盘的转移错误的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造