[发明专利]使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201980069671.4 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN112889155A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 金政勋;赵炳权 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/24;H01L33/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 付永莉;郑特强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 半导体 发光 器件 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基底;
半导体发光器件,具有设置在所述基底上且环状地形成在所述半导体发光器件的上边缘上的第一导电电极、以及形成在所述半导体发光器件的上中心部分上且被所述第一导电电极围绕的第二导电电极;
钝化层,形成为覆盖所述半导体发光器件的上表面的一部分;
第一布线电极,电连接到所述第一导电电极;以及
第二布线电极,从所述半导体发光器件的所述上边缘延伸到所述半导体发光器件的所述上中心部分,并且电连接到所述第二导电电极,
其中,所述第二布线电极的一部分与所述第一导电电极的一部分重叠且所述钝化层置于两者之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述钝化层从所述半导体发光器件的侧表面沿所述半导体发光器件的宽度方向延伸,并且形成为覆盖所述第一导电电极的一部分和所述第二导电电极的一部分。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述钝化层形成为覆盖所述半导体发光器件的所述上表面的除了连接到所述第一布线电极的所述第一导电电极的其余部分和连接到所述第二布线电极的所述第二导电电极的其余部分之外的其余部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体发光器件相对于所述半导体发光器件的宽度方向中心线对称地形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电电极和所述第二导电电极相对于所述半导体发光器件的厚度方向设置有高度差。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一导电电极的高度大于所述第二导电电极的高度。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二导电电极的高度大于所述第一导电电极的高度。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体发光器件还包括:
第一导电半导体层,设置在所述第一导电电极下方;
第二导电半导体层,设置在所述第二导电电极下方;以及
有源层,形成在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述有源层形成为与设置在所述半导体发光器件的上中心部分处的所述第二导电电极重叠。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述有源层以环形形状形成为与所述第一导电电极重叠。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一布线电极和所述第二布线电极彼此垂直地形成。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体发光器件的形状为三角形、矩形和圆形中的一种。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电电极的形状不同于所述第二导电电极的形状。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述钝化层的厚度不同于所述第一布线电极的厚度和所述第二布线电极的厚度。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述钝化层还形成为覆盖所述半导体发光器件的侧表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的