[发明专利]使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201980069671.4 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN112889155A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 金政勋;赵炳权 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/24;H01L33/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 付永莉;郑特强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 半导体 发光 器件 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本公开涉及一种显示装置及其制造方法,更具体地,涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。本公开的一个目的是提供一种用于减小在制造包括半导体发光器件的显示装置中的工艺误差的制造方法和结构。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法,更具体地,涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。
背景技术
近年来,液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和微型LED显示器在显示技术领域中一直在争相实现大面积显示器。
然而,在LCD的情况下存在诸如响应时间慢、由背光产生的光的效率低的问题,在OLED的情况下存在诸如使用寿命短、产量(yeild,成品率)减小以及效率低的缺点。
相反,当在显示器中使用直径或横截面区域为100微米或更小的半导体发光器件(微型LED(μLED))时,因为显示器使用了偏振板等而不吸收光,所以显示器可以提供非常高的效率。然而,由于大尺寸显示器需要数百万个半导体发光器件,所以与其他技术相比,在转移这些器件方面有困难。
当前正在开发的用于转移工艺(process)的技术包括拾取和放置(pickplace)、激光剥离(LLO,laser lift-off)、自组装等。在这些技术之中,自组装方法是用来实现大尺寸显示装置的最有利方法,所述自组装方法是半导体发光器件自身定位在流体中的方法。
近年来,第9,825,202号美国专利提出了一种适合于自组装的微型LED结构,但是还没有针对通过微型LED的自组装来制造显示器的技术的研究。因此,本公开提出了一种新型的可以自组装微型LED的显示装置及其制造方法。
发明内容
技术问题
本公开的一个目的是提供一种用于减小在制造包括半导体发光器件的显示装置中的工艺误差的制造方法和结构。
本公开的另一目的是提供一种用于减少在制造包括半导体发光器件的显示装置中所需的工艺数量的制造方法和结构。
技术方案
本公开可以提供一种显示装置,所述显示装置包括:基底;半导体发光器件,具有设置在基底上且环状地(annularly)形成在半导体发光器件的上边缘上的第一导电电极、以及形成在半导体发光器件的上中心部分上且被第一导电电极围绕的第二导电电极;钝化层,形成为覆盖半导体发光器件的上表面的一部分;第一布线电极(wiring electrode),电连接到第一导电电极;以及第二布线电极,从半导体发光器件的上边缘延伸到半导体发光器件的上中心部分,并且电连接到第二导电电极,其中,第二布线电极的一部分与第一导电电极的一部分重叠(overlap)而钝化层置于二者之间。
根据一实施例,钝化层可以从半导体发光器件的侧表面沿半导体发光器件的宽度方向延伸,并且可以形成为覆盖第一导电电极的部分和第二导电电极的部分。
根据一实施例,钝化层可以形成为覆盖半导体发光器件的上表面的除了第一导电电极和第二导电电极的连接到第一布线电极和第二布线电极的部分之外的其余部分。
根据一实施例,半导体发光器件可以相对于其宽度方向(widthwise)中心线对称地形成。
根据一实施例,第一导电电极和第二导电电极可以相对于半导体发光器件的厚度方向设置有高度差。
根据一实施例,半导体发光器件可以包括:第一导电半导体层,设置在第一导电电极下方;第二导电半导体层,设置在第二导电电极下方;以及有源层,形成在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间。
根据一实施例,有源层可以形成为与设置在半导体发光器件的中心部分处的第二导电电极重叠。
根据一实施例,有源层可以以环形形状形成为与第一导电电极重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的