[发明专利]晶体管基底和包括晶体管基底的显示装置

权利要求书

1.一种晶体管基底，所述晶体管基底包括：

基底，包括第一区域和第二区域；

第一缓冲层，在所述基底上设置在所述第一区域中，并且包括氮化硅；

第二缓冲层，在所述第一缓冲层上设置在所述第一区域和所述第二区域中，并且包括氧化硅；

第一晶体管，在所述第二缓冲层上设置在所述第一区域中，并且包括第一氧化物半导体层和与所述第一氧化物半导体层叠置的第一栅电极；以及

第二晶体管，在所述第二缓冲层上设置在所述第二区域中，并且包括第二氧化物半导体层和与所述第二氧化物半导体层叠置的第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述第二缓冲层在所述第一区域和所述第二区域中具有平坦的顶表面。

3.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述第一氧化物半导体层包括第一源区、第一漏区和位于所述第一源区与所述第一漏区之间的第一沟道区，所述第二氧化物半导体层包括第二源区、第二漏区和位于所述第二源区与所述第二漏区之间的第二沟道区。

4.根据权利要求3所述的晶体管基底，其中，所述第二沟道区具有比所述第一沟道区的长度短的长度。

5.根据权利要求3所述的晶体管基底，其中，所述第二沟道区的长度为1.5μm至4.0μm。

6.根据权利要求3所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：

层间绝缘层，设置在所述第一栅电极和所述第二栅电极上，其中，

所述第一晶体管还包括设置在所述层间绝缘层上并且分别连接到所述第一源区和所述第一漏区的第一源电极和第一漏电极，所述第二晶体管还包括设置在所述层间绝缘层上并且分别连接到所述第二源区和所述第二漏区的第二源电极和第二漏电极。

7.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层的电荷迁移率大的电荷迁移率。

8.根据权利要求1所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：

第一栅极绝缘层，设置在所述第一氧化物半导体层与所述第一栅电极之间；以及

第二栅极绝缘层，设置在所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极之间。

9.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个为n沟道晶体管。

10.根据权利要求1所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：

金属层，设置在所述基底与所述第一缓冲层之间，并且与所述第一氧化物半导体层叠置。

11.根据权利要求10所述的晶体管基底，其中，所述金属层连接到所述第一栅电极。

12.根据权利要求1所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：

第三晶体管，在所述第二缓冲层上设置在所述第一区域中，与所述第一晶体管间隔开，并且包括第三氧化物半导体层和与所述第三氧化物半导体层叠置的第三栅电极；以及

金属层，设置在所述基底与所述第一缓冲层之间，并且与所述第三氧化物半导体层叠置。

13.根据权利要求12所述的晶体管基底，其中，所述第三氧化物半导体层具有比所述第一氧化物半导体层的电荷迁移率大的电荷迁移率。

14.根据权利要求12所述的晶体管基底，其中，所述金属层连接到所述第三栅电极。

15.根据权利要求1所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：

第三晶体管，在所述第二缓冲层上设置在所述第二区域中，与所述第二晶体管间隔开，并且包括第三氧化物半导体层和与所述第三氧化物半导体层叠置的第三栅电极。