[发明专利]晶体管基底和包括晶体管基底的显示装置

说明书

一种晶体管基底可以包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一缓冲层，设置在基底的第一区域上，并且包括氮化硅；第二缓冲层，设置在第二区域和第一缓冲层的第一区域上，并且包括氧化硅；第一晶体管，布置在第二缓冲层的第一区域上，并且包括第一氧化物半导体层和与第一氧化物半导体层叠置的第一栅电极；以及第二晶体管，布置在第二缓冲层的第二区域上，并且包括第二氧化物半导体层和与第二氧化物半导体层叠置的第二栅电极。

技术领域

实施例涉及一种电子装置。更具体地，实施例涉及一种晶体管基底和包括晶体管基底的显示装置。

背景技术

晶体管用于诸如显示装置的各种电子装置。例如，晶体管用作构成诸如液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置中的像素电路和驱动电路的元件。

晶体管可以包括栅电极、源电极、漏电极以及电连接到源电极和漏电极的半导体层。半导体层是决定晶体管的特性的重要因素。

半导体层可以包括硅(Si)。根据结晶形式，硅可以分类为非晶硅和多晶硅。虽然非晶硅具有简单的制造工艺，但是由于低电荷迁移率而限制了制造高性能的晶体管。虽然多晶硅具有高电荷迁移率，但是需要硅结晶步骤，因此制造成本高且工艺复杂。

为了补充非晶硅和多晶硅，已经对使用氧化物半导体的晶体管进行了研究，氧化物半导体与非晶硅相比具有更高的电荷迁移率和更高的导通/截止速率，并且与多晶硅相比具有更低的成本和更高的均匀性。然而，氧化物半导体会受到从其它相邻的绝缘层引入的氢的影响。

发明内容

技术问题

本发明的目的是提供一种具有高分辨率的晶体管基底和包括晶体管基底的显示装置。

然而，本发明的目的不限于此，并且可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行各种扩展。

技术方案

为了实现本发明的上述目的，一种晶体管基底可以包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一缓冲层，在基底上设置在第一区域中，并且包括氮化硅；第二缓冲层，在第一缓冲层上设置在第一区域和第二区域中，并且包括氧化硅；第一晶体管，在第二缓冲层上设置在第一区域中，并且包括第一氧化物半导体层和与第一氧化物半导体层叠置的第一栅电极；以及第二晶体管，在第二缓冲层上设置在第二区域中，并且包括第二氧化物半导体层和与第二氧化物半导体层叠置的第二栅电极。

在一个实施例中，第二缓冲层可以在第一区域和第二区域中具有平坦的顶表面。

在一个实施例中，第一氧化物半导体层可以包括第一源区、第一漏区和位于第一源区与第一漏区之间的第一沟道区，第二氧化物半导体层可以包括第二源区、第二漏区和位于第二源区与第二漏区之间的第二沟道区。

在一个实施例中，第二沟道区可以具有比第一沟道区的长度短的长度。

在一个实施例中，第二沟道区的长度可以为1.5μm至4.0μm。

在一个实施例中，晶体管基底还可以包括：层间绝缘层，设置在第一栅电极和第二栅电极上。第一晶体管还可以包括设置在层间绝缘层上并且分别连接到第一源区和第一漏区的第一源电极和第一漏电极，第二晶体管还可以包括设置在层间绝缘层上并且分别连接到第二源区和第二漏区的第二源电极和第二漏电极。

在一个实施例中，第一氧化物半导体层可以具有比第二氧化物半导体层的电荷迁移率大的电荷迁移率。

在一个实施例中，晶体管基底还可以包括：第一栅极绝缘层，设置在第一氧化物半导体层与第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘层，设置在第二氧化物半导体层与第二栅电极之间。

在一个实施例中，第一晶体管和第二晶体管中的每个可以为n沟道晶体管。

在一个实施例中，晶体管基底还可以包括：金属层，设置在基底与第一缓冲层之间，并且与第一氧化物半导体层叠置。