[发明专利]阻挡膜

权利要求书

1.一种阻挡膜，包括：基础层；和无机层，所述无机层包含Si、N和O并且包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域具有彼此不同的通过XPS测量的Si、N和O的以原子％计的元素含量，

其中对于用于以0.09nm/秒的速率蚀刻Ta₂O₅的Ar离子蚀刻条件，所述无机层在厚度方向上的蚀刻速率为0.17nm/秒或更小，以及

其中所述膜的根据在85℃和85％的相对湿度条件下储存250小时之后在38℃的温度和100％的相对湿度的条件下测量的水蒸气透过率为5.0×10^-4g/m²·天或更小。

2.一种阻挡膜，包括：基础层；平坦化层，所述平坦化层为中间层；和无机层，所述无机层包含Si、N和O并且包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域具有彼此不同的通过XPS测量的Si、N和O的以原子％计的元素含量，

其中对于用于以0.09nm/秒的速率蚀刻Ta₂O₅的Ar离子蚀刻条件，所述无机层在厚度方向上的蚀刻速率为0.17nm/秒或更小。

3.根据权利要求1或2所述的阻挡膜，其中所述第一区域比所述第二区域更靠近所述基础层。

4.根据权利要求1或2所述的阻挡膜，其中所述第一区域满足O含量Si含量N含量。

5.根据权利要求4所述的阻挡膜，其中所述第一区域的所述O含量在50原子％至65原子％的范围内，所述Si含量在35原子％至45原子％的范围内，以及所述N含量在1原子％至15原子％的范围内。

6.根据权利要求5所述的阻挡膜，其中所述第一区域的所述O含量a与所述Si含量b的比率a/b在1.1至1.9的范围内。

7.根据权利要求5所述的阻挡膜，其中所述第二区域满足Si含量N含量O含量。

8.根据权利要求7所述的阻挡膜，其中所述第二区域的所述Si含量在45原子％至60原子％的范围内，所述N含量在20原子％至35原子％的范围内，以及所述O含量在10原子％至30原子％的范围内。

9.根据权利要求8所述的阻挡膜，其中所述第二区域中的所述N含量大于所述第一区域中的所述N含量。

10.根据权利要求8所述的阻挡膜，其中所述第二区域中的Si含量的最大值与所述第一区域中的O含量的最大值之差为15原子％或更小。

11.根据权利要求1或2所述的阻挡膜，其中所述无机层通过对具有下式1的单元的聚硅氮烷进行等离子体处理而获得：

[式1]

其中，R¹、R²和R³各自独立地为氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基、烷基甲硅烷基、烷基氨基或烷氧基。

12.根据权利要求1或2所述的阻挡膜，顺序地包括：所述基础层；平坦化层；和所述无机层，

其中所述平坦化层的面向所述无机层的表面的平均表面粗糙度Rt在15nm至45nm的范围内。

13.根据权利要求12所述的阻挡膜，其中所述第一区域的厚度为所述平坦化层的所述平均表面粗糙度Rt的两倍或更大。

14.一种电气或电子元件，包括根据权利要求1或2所述的阻挡膜。