[发明专利]半导体装置制造用的临时保护膜、卷轴体以及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造用的临时保护膜，所述临时保护膜在制造具有半导体基板及搭载于该半导体基板的半导体元件的半导体装置的方法中，用于对所述半导体基板的与供所述半导体元件搭载的面相反的一侧的面进行临时保护，

所述临时保护膜包括支撑膜以及设置于所述支撑膜的单面或两面上的黏合层，

所述黏合层含有丙烯酸橡胶，

将所述临时保护膜以所述黏合层与铜合金板相接的方式在25℃下贴附于具有铜合金的表面的所述铜合金板，对由此而获得的贴合体以180℃下60分钟及200℃下60分钟的顺序进行加热，所述临时保护膜相对于所述铜合金板的90度剥离强度在所述贴合体加热前为25℃下5N/m以上，在所述贴合体加热后为50℃下150N/m以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，

所述黏合层的厚度为2μm以上且100μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，

所述丙烯酸橡胶为包含(甲基)丙烯酸烷基酯单元、(甲基)丙烯酸单元及/或丙烯酸-2-羟基乙酯单元、以及丙烯腈单元的共聚物，相对于所述丙烯酸橡胶总体的质量，这些单体单元的合计比例为90质量％以上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，

所述丙烯酸橡胶的玻璃化转变温度为-50℃～20℃。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，

所述丙烯酸橡胶的重均分子量为150000～900000。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，

所述黏合层进一步含有剥离性赋予剂。

7.根据权利要求6所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中,

相对于所述丙烯酸橡胶100质量份，所述剥离性赋予剂的含量为0.1质量份以上且小于50质量份。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其中，

所述剥离性赋予剂包含具有脂肪族基及键合于该脂肪族基的缩水甘油醚基的脂肪族环氧化合物。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置制造用的临时保护膜，其进一步包括覆盖所述黏合层的与所述支撑膜相反的一侧的面的覆盖膜。

10.一种卷轴体，其包括：

卷轴，具有筒状的卷绕部；以及

权利要求1至9中任一项所述的半导体装置制造用的临时保护膜，卷绕于所述卷绕部。

11.一种制造半导体装置的方法，其依次包括：

将权利要求1至9中任一项所述的半导体装置制造用的临时保护膜以其黏合层与半导体基板相接的朝向贴附于所述半导体基板的单面的工序；

将半导体元件搭载于所述半导体基板的与所述临时保护膜相反的一侧的面上的工序；

形成将所述半导体元件密封的密封层，从而获得具有所述半导体基板、所述半导体元件及所述密封层的密封成型体的工序；以及

自所述密封成型体剥离所述临时保护膜的工序。