[发明专利]电磁干扰屏蔽层制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体封装的方法，所述半导体封装至少部分地被电磁干扰屏蔽层覆盖，所述方法至少包含以下这些步骤：

i.提供所述半导体封装和墨水组合物；

其中所述墨水组合物至少包含以下这些成分：

a)包含至少一种金属前体的化合物；

b)至少一种有机化合物；以及

ii.将所述墨水组合物的至少一部分施加于所述半导体封装上，在该处形成前体层；

iii.经由照射来处理所述前体层，其中以所述处理期间所施加的总照射计，所述照射的至少80％具有100nm至1mm范围内的波长。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤ii.中的所述墨水组合物的所述施加是通过使用喷墨技术来执行。

3.根据权利要求1或2中任一权利要求所述的方法，其中所述处理是通过红外照射来执行，所述红外照射优选具有1500nm至4000nm范围内的峰值波长。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述前体层用所述照射处理小于10分钟。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述照射的总辐射通量密度在100至1000000W/cm²范围内。

6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述有机化合物是萜类。

7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述半导体封装包含一或多个电组件，其中至少一个是半导体元件，其中所述电组件至少部分地经由模成型。

8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述电磁干扰屏蔽层具有至多5μm的厚度。

9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述金属前体具有80至500℃范围内的分解温度。

10.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述金属前体是以以下这些特征中的至少一个为特征：

A)至少一种金属阳离子，其选自由以下组成的群组：银、铜和金，或其中任何两种的组合，或全部三种；

B)至少一种阴离子，其选自由以下组成的群组：羧酸根、氨基甲酸根、甲酸根和硝酸根；以及

或根据a)和b)的特征中的任何两个或更多个的组合。

11.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述墨水组合物中的金属含量以所述组合物的总重量计在1至60wt.％范围内。

12.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述墨水组合物中的金属颗粒含量以所述墨水组合物的总重量计小于1wt.％。

13.一种半导体封装，其包含含有至少一种金属的电磁干扰屏蔽层且其可通过根据权利要求1至12中任一权利要求所述的方法获得，其中所述电磁干扰屏蔽层与所述半导体封装邻接且以以下这些特征中的至少一个为特征：

a/厚度在5nm至5μm范围内；

b/以所述厚度计，所述厚度的变化小于50％；

c/电导是块状金属的电导的至少5％；

d/印刷分辨率在30至150μm范围内；

或所述特征中的至少两个的组合。

14.一种半导体封装，其包含至少一个电子组件、模和第一层电磁干扰屏蔽材料，

其中所述模包围/包埋所述电子组件的至少一部分；

其中所述第一层电磁干扰屏蔽材料与所述模的至少一部分邻接，

其中所述第一层电磁干扰屏蔽材料与所述模直接物理接触，

其中所述第一层电磁干扰屏蔽材料的比电导在块状金属的5至90％范围内；且

其中所述第一层电磁干扰屏蔽材料的厚度在5nm至5μm范围内。