[发明专利]电磁干扰屏蔽层制造方法

说明书

本发明涉及一种制造至少部分地被电磁干扰屏蔽层覆盖的半导体封装的方法，所述方法至少包含这些步骤：i.提供所述半导体封装和墨水组合物，其中所述墨水组合物至少包含这些成分：a)包含至少一种金属前体的化合物，b)至少一种有机化合物；和ii.将所述墨水组合物的至少一部分施加于所述半导体封装上，在该处形成前体层；iii.利用峰值波长在100nm至1mm范围内的照射处理所述前体层；以及涉及一种包含含有至少一种金属的电磁干扰屏蔽层的半导体封装，其中所述半导体封装可通过前述方法获得。本发明还涉及一种包含电磁干扰屏蔽层的半导体封装，其中第一层电磁干扰屏蔽材料的比电导在块状金属的5至90％范围内；且其中所述第一层电磁干扰屏蔽材料的厚度在5nm至5pm范围内。本发明进一步涉及墨水组合物的一些用途。

本发明涉及一种制造半导体封装的方法，所述半导体封装至少部分地由优选邻接的电磁干扰屏蔽层覆盖，所述方法至少包含这些步骤：i.提供半导体封装和墨水组合物，其中墨水组合物至少包含这些成分：a)包含至少一种金属前体的化合物，b)至少一种有机化合物；以及ii.将墨水组合物的至少一部分施加于半导体封装上，其中形成前体层；iii.利用照射处理前体层，其中以处理步骤期间所施加的总照射计，至少80％的照射具有100nm至1mm范围内的波长；以及包含含有至少一种金属的电磁干扰屏蔽层的半导体封装，其中半导体封装可通过前述方法获得。本发明还涉及一种包含电磁干扰屏蔽层的半导体封装，其中第一层电磁干扰屏蔽材料的比电导在块状金属的5至90％范围内；且其中第一层电磁干扰屏蔽材料的厚度在5nm至5μm范围内。本发明进一步涉及墨水组合物的一些用途。

半导体行业为了生产较小电子组件以及包含这些电子组件的较小电子装置而寻求积体密度的持续改进。此寻求不仅聚焦于电子组件的小型化，而且聚焦于开发制造也具有较小空间需求的电磁干扰屏蔽层的方法，且从而开发直接在电子组件上制造电磁干扰屏蔽层的改进型技术。

电子电路装备电磁干扰屏蔽层的程序已知有多种，例如施加导电箔、涂布导等离子体料、元素金属以层形式真空沉积，以及电化学方法，以及甚至其组合。为了在半导体封装上产生屏蔽材料的致密共形相干层，这些程序中大部分隐含着至少一个需要大量热冲击、湿式工艺、真空和/或耗时处理的步骤。为了产生电磁干扰屏蔽层或将电磁干扰屏蔽层准确地转印至半导体封装的专门区域，这些技术中大部分进一步需要先遮蔽和后去遮蔽步骤。

一般而言，本发明的一个目标是至少部分地克服根据现有技术已知的至少一个缺点。

另一目标是提供一种给半导体封装产生定制电磁干扰屏蔽层的方式。

另一目标是提供一种给半导体封装产生共形电磁干扰屏蔽层的方式。

另一目标是提供一种将部分电磁干扰屏蔽层施加于半导体封装体上的方式，例如使表面区域接近于嵌入式天线坯料以防屏蔽。

另一目标是提供一种制造电磁干扰屏蔽层的有效方法。

另一目标是提供一种针对待配备电磁干扰屏蔽层的每一个半导体封装可以个别调适的方法。

另一目标是提供一种制造具有复杂设计的电磁干扰屏蔽层的方法。

另一目标是提供一种方法，包括在半导体封装上快速形成电磁干扰屏蔽层。

另一目标是提供一种避免将昂贵技术(例如需要真空的那些技术)用于制造半导体封装上的电磁干扰屏蔽层的方法。

另一目标是提供一种方法，包括使电磁干扰屏蔽层固定于半导体封装上的步骤，其中必须避免遭受半导体封装内部的电子组件的热量。

另一目标是提供一种将电磁干扰屏蔽层/层施加于多个半导体封装上、随后将半导体封装切割成个别半导体封装的方法。

另一目标是提供一种在切割成个别半导体封装之后将电磁干扰屏蔽层/层施加于半导体封装上的方法。

另一目标是提供一种制造电磁干扰屏蔽层的方法，所述方法需要的步骤比本领域中已知的方法少。