[发明专利]前管道设备前端模块、侧存储舱及其操作方法在审
申请号: | 201980070805.4 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN112970099A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 保罗·B·路透;罗宾·C·阿姆斯特朗;约翰·C·门克;尼尔·玛利 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管道 设备 前端 模块 存储 及其 操作方法 | ||
1.一种设备前端模块,包括:
前壁、后壁和两个侧壁,所述前壁包括多个装载口,且所述后壁经配置以耦接至装载锁定设备;
设备前端模块腔室,所述设备前端模块腔室形成于所述前壁、所述后壁和所述两个侧壁之间;
在所述设备前端模块的顶部的上部气室,且包括进入所述设备前端模块腔室的开口;和
多个返回管道,所述多个返回管道提供气体回流路径,所述气体回流路径使得气体能够从所述设备前端模块腔室再循环到所述上部气室,其中所述多个返回管道中的至少一些返回管道位于所述装载口之间。
2.如权利要求1所述的设备前端模块,其中所述多个返回管道沿着所述前壁延伸,并且其中所述多个返回管道中的至少一些返回管道被配置以在两个相邻的载体门开启器的侧面之间向上延伸。
3.如权利要求1所述的设备前端模块,其中第一侧存储舱耦接至所述两个侧壁中的至少一个侧壁,并且其中来自所述第一侧存储舱的排气通道由侧返回管道耦接至所述上部气室。
4.如权利要求1所述的设备前端模块,包括:第一侧存储舱和第二侧存储舱,所述第一侧存储舱耦接至所述两个侧壁中的第一侧壁,所述第二侧存储舱耦接至所述两个侧壁中的第二侧壁。
5.如权利要求1所述的设备前端模块,包括:四个基板载体,所述四个基板载体对接在所述多个装载口处,且所述至少三个返回管道提供所述气体回流路径。
6.一种电子装置制造组件,包括:
设备前端模块,包括:
前壁、后壁和两个侧壁,所述前壁包括多个装载口,且所述后壁经配置以耦接至装载锁定设备;
设备前端模块腔室,所述设备前端模块腔室形成于所述前壁、所述后壁和所述两个侧壁之间;
在所述设备前端模块的顶部的上部气室,且包括进入所述设备前端模块腔室的开口;
多个返回管道,所述多个返回管道提供气体回流路径,所述气体回流路径使得气体能够从所述设备前端模块腔室再循环到所述上部气室,其中所述多个返回管道中的至少一些返回管道位于所述多个装载口中的一些装载口之间;
第一侧存储舱,所述第一侧存储舱经由所述设备前端模块的所述两个侧壁中的第一侧壁中的接口开口耦接到所述第一侧壁,所述第一侧存储舱经配置以从所述设备前端模块腔室接收一个或多个基板,所述第一侧存储舱包括排气通道;和
第一侧返回管道,所述第一侧返回管道耦接在所述排气通道和所述上部气室之间。
7.如权利要求6所述的电子装置制造组件,其中所述多个装载口中的两个装载口中的每一者包括载体门开启器,且所述多个返回管道中的一个返回管道被配置以在所述载体门开启器的侧面之间向上延伸。
8.如权利要求6所述的电子装置制造组件,其中所述多个返回管道中的至少一些返回管道被配置以沿着所述前壁的内表面向上延伸。
9.如权利要求6所述的电子装置制造组件,其中所述多个返回管道中的至少一些返回管道被配置以沿着所述前壁的外表面向上延伸。
10.如权利要求6所述的电子装置制造组件,其中所述第一侧存储舱进一步包括:
一个或多个腔室,所述一个或多个腔室中的每个腔室具有位于邻近于所述接口开口的腔室开口;和
位于所述一个或多个腔室中的一个或多个侧存储容器,所述一个或多个侧存储容器中的每一者经配置以从所述设备前端模块腔室接收所述基板中的一个或多个基板,所述一个或多个侧存储容器中的每一者耦接到所述排气通道并经配置以排出从所述腔室开口进入的气体。
11.如权利要求10所述的电子装置制造组件,进一步包括位于耦接至所述排气通道的第三气室中的化学过滤器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造