[发明专利]前管道设备前端模块、侧存储舱及其操作方法在审
申请号: | 201980070805.4 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN112970099A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 保罗·B·路透;罗宾·C·阿姆斯特朗;约翰·C·门克;尼尔·玛利 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管道 设备 前端 模块 存储 及其 操作方法 | ||
设备前端模块(EFFM)包括位于前端的返回管道。EFFM可包括前壁、后壁和两个侧壁,前壁包括多个装载口,且后壁经配置以耦接至装载锁定设备。在前壁、后壁和两个侧壁之间形成EFFM腔室。上部气室位于EFFM的顶部,并包括进入EFFM腔室的开口。返回管道提供气体回流路径,该气体回流路径使气体能够从EFFM腔室再循环到上部气室。多个返回管道中的至少一些返回管道位于装载口之间。还公开了电子装置制造组件和操作设备前端模块的方法。设备前端模块(EFFM)包括位于前端的返回管道。EFFM可包括前壁、后壁和两个侧壁,前壁包括多个装载口,且后壁经配置以耦接至装载锁定设备。在前壁、后壁和两个侧壁之间形成EFFM腔室。上部气室位于EFFM的顶部,并包括进入EFFM腔室的开口。返回管道提供气体回流路径,该气体回流路径使气体能够从EFFM腔室再循环到上部气室。多个返回管道中的至少一些返回管道位于装载口之间。还公开了电子装置制造组件和操作设备前端模块的方法。
技术领域
本公开内容涉及电子装置制造,并且更具体地涉及设备前端模块(EFEMs)、侧存储舱及其操作方法。
背景技术
半导体电子装置制造中的基板处理通常是在多个处理工具中进行,其中基板在基板载体中的处理工具之间移动,例如,前开式标准舱(front opening unified pods,FOUPs),FOUP可对接(docked)于设备前端模块(EFEM)的装载口处,在该处可以将一个或多个基板传送到装载锁定设备,然后从那里传送到主机壳体(mainframe housing)的传送腔室,该传送腔室在其周围设有多个处理腔室。可以在FOUP和每个处理腔室之中以及之间,特别是在EFEM之中,提供环境控制的大气。基板在处理过程中暴露于某些环境条件和气体下,在某些情况中,可能会使基板降级(degrade)。
发明内容
根据第一实施方式,提供了一种设备前端模块(EFEM)。EFFM包括前壁、后壁和两个侧壁,前壁可包括多个装载口,且后壁经配置以耦接至装载锁定设备。设备前端模块腔室可形成于前壁、后壁和两个侧壁之间。上部气室可位于设备前端模块的顶部,且包括进入设备前端模块腔室的开口。多个返回管道可提供气体回流路径,气体回流路径使得气体能够从设备前端模块腔室再循环到上部气室,其中多个返回管道中的至少一些返回管道位于装载口之间。
根据第二实施方式,提供了一种电子装置制造组件。电子装置制造组件可包括设备前端模块,设备前端模块包括前壁、后壁和两个侧壁,其中前壁可包括多个装载口,且后壁经配置以耦接至装载锁定设备。设备前端模块腔室可形成于前壁、后壁和两个侧壁之间。上部气室可位于设备前端模块的顶部,且包括进入设备前端模块腔室的开口。多个返回管道可提供气体回流路径,气体回流路径使得气体能够从设备前端模块腔室再循环到上部气室,其中多个返回管道中的至少一些返回管道位于多个装载口中的一些装载口之间。第一侧存储舱可经由设备前端模块的两个侧壁中的第一侧壁中的接口开口耦接到第一侧壁,侧存储舱经配置以从设备前端模块腔室接收一个或多个基板。侧存储舱可包括排气通道。电子装置可进一步包括第一侧返回管道,第一侧返回管道耦接在排气通道和上部气室之间。
根据本公开内容的又一个实施方式,提供了一种操作设备前端模块(EFEM)的方法。该方法可包括为设备前端模块提供连接至设备前端模块腔室的上部气室,设备前端模块腔室与多个装载口接口。方法可进一步包括使气体从上部气室流到设备前端模块腔室。方法可进一步包括通过位于装载口之间的一个或多个返回管道将至少一些气体从设备前端模块腔室再循环到上部气室。
根据以下的实施方式、随附权利要求书和随附附图,根据本公开内容的这些和其他实施方式的其他方面、特征和优点将是显而易见的。因此,本文的附图和描述本质上应被认为是说明性的,而不是限制性的。
附图说明
以下描述的图式是出于说明性的目的,且不一定按比例绘制。附图并不旨在以任何方式限制本文的范围。
图1示出根据本公开内容的一个或多个实施方式的电子装置制造组件的示意性顶视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造