[发明专利]用于转移半导体芯片的转移工具和方法在审
申请号: | 201980071907.8 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN112970097A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 安德烈亚斯·普洛斯尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;周涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 转移 半导体 芯片 工具 方法 | ||
1.一种用于转移半导体芯片(2)的转移工具(1),所述转移工具(1)具有:
-粘性压模(3),所述粘性压模具有用于容纳所述半导体芯片(2)的粘附面(4),和
-用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15),其中
-所述粘性压模(3)构成为可变形的,
-所述粘附面(4)通过所述粘性压模(3)的外面的一部分形成,
-所述粘附面(4)的面积能够通过所述粘性压模(3)的变形来调节,和
-所述粘附面(4)构成为不间断的。
2.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)包括可变形的体积区域(5),并且所述粘附面(4)通过所述体积区域(5)的外面的一部分形成。
3.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)具有弹性聚合物或者由弹性聚合物形成。
4.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)具有开口(6),并且用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)设立为用于,调节所述开口(6)的体积。
5.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)设立为用于,调节在所述开口(6)中的填充材料(12)的量。
6.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)在侧向上在所述体积区域(5)旁具有变形区域(7)。
7.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)在所述变型区域(7)中的厚度(D)与所述粘性压模(3)在所述体积区域(5)中的厚度(D)相比减小。
8.根据上两项权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)在所述变形区域(7)中具有空腔(8)。
9.根据上三项权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)设立为用于,在所述变形区域(7)中将力施加到所述粘性压模(3)上,所述力横向于或垂直于所述粘性压模(3)的主延伸平面指向。
10.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述力是磁力或静电力。
11.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)在其外面上具有金属层(9)。
12.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述金属层(9)设置在所述变形区域(7)中。
13.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)设立为用于,改变所述体积区域(5)的材料的密度。
14.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述体积区域(5)具有可光致异构化的材料或者由可光致异构化的材料构成。
15.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述体积区域(5)具有第二层,所述第二层以可光致异构化的材料形成,其中在所述第二层上在朝向所述粘附面(4)的侧上施加第一层,所述第一层没有可光致异构化的材料。
16.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)构成为用于,将电磁辐射引导至所述体积区域。
17.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中通过所述体积区域(5)的变形能够调节所述粘附面(4)的面积。
18.一种用于转移半导体芯片(2)的方法,所述方法具有下述方法步骤:
-提供根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),
-在源载体(10)上以规则的布置提供多个半导体芯片(2),
-使所述转移工具(1)靠近所述源载体,其中所述体积区域(5)的粘附面(4)与所述半导体芯片(2)接触,
-将所述半导体芯片(2)经由范德华力粘附到所述体积区域(5)的粘附面(4)上,
-将所述转移工具(1)从所述源载体(10)抬高,
-使所述转移工具(1)靠近目标载体(11),其中设置在所述转移工具(1)上的半导体芯片(2)与所述目标载体(11)接触,
-通过减小所述体积区域(5)的粘附面(4)的面积,将所述半导体芯片(2)剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造