[发明专利]用于转移半导体芯片的转移工具和方法在审

专利信息
申请号: 201980071907.8 申请日: 2019-10-24
公开(公告)号: CN112970097A 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 安德烈亚斯·普洛斯尔 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;周涛
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 转移 半导体 芯片 工具 方法
【权利要求书】:

1.一种用于转移半导体芯片(2)的转移工具(1),所述转移工具(1)具有:

-粘性压模(3),所述粘性压模具有用于容纳所述半导体芯片(2)的粘附面(4),和

-用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15),其中

-所述粘性压模(3)构成为可变形的,

-所述粘附面(4)通过所述粘性压模(3)的外面的一部分形成,

-所述粘附面(4)的面积能够通过所述粘性压模(3)的变形来调节,和

-所述粘附面(4)构成为不间断的。

2.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)包括可变形的体积区域(5),并且所述粘附面(4)通过所述体积区域(5)的外面的一部分形成。

3.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)具有弹性聚合物或者由弹性聚合物形成。

4.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)具有开口(6),并且用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)设立为用于,调节所述开口(6)的体积。

5.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)设立为用于,调节在所述开口(6)中的填充材料(12)的量。

6.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)在侧向上在所述体积区域(5)旁具有变形区域(7)。

7.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)在所述变型区域(7)中的厚度(D)与所述粘性压模(3)在所述体积区域(5)中的厚度(D)相比减小。

8.根据上两项权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)在所述变形区域(7)中具有空腔(8)。

9.根据上三项权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)设立为用于,在所述变形区域(7)中将力施加到所述粘性压模(3)上,所述力横向于或垂直于所述粘性压模(3)的主延伸平面指向。

10.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述力是磁力或静电力。

11.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述粘性压模(3)在其外面上具有金属层(9)。

12.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述金属层(9)设置在所述变形区域(7)中。

13.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)设立为用于,改变所述体积区域(5)的材料的密度。

14.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中所述体积区域(5)具有可光致异构化的材料或者由可光致异构化的材料构成。

15.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中所述体积区域(5)具有第二层,所述第二层以可光致异构化的材料形成,其中在所述第二层上在朝向所述粘附面(4)的侧上施加第一层,所述第一层没有可光致异构化的材料。

16.根据上一项权利要求所述的转移工具(1),其中用于调节所述粘附面(4)的面积的装置(15)构成为用于,将电磁辐射引导至所述体积区域。

17.根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),其中通过所述体积区域(5)的变形能够调节所述粘附面(4)的面积。

18.一种用于转移半导体芯片(2)的方法,所述方法具有下述方法步骤:

-提供根据上述权利要求中任一项所述的转移工具(1),

-在源载体(10)上以规则的布置提供多个半导体芯片(2),

-使所述转移工具(1)靠近所述源载体,其中所述体积区域(5)的粘附面(4)与所述半导体芯片(2)接触,

-将所述半导体芯片(2)经由范德华力粘附到所述体积区域(5)的粘附面(4)上,

-将所述转移工具(1)从所述源载体(10)抬高,

-使所述转移工具(1)靠近目标载体(11),其中设置在所述转移工具(1)上的半导体芯片(2)与所述目标载体(11)接触,

-通过减小所述体积区域(5)的粘附面(4)的面积,将所述半导体芯片(2)剥离。

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