[发明专利]用于转移半导体芯片的转移工具和方法在审
申请号: | 201980071907.8 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN112970097A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 安德烈亚斯·普洛斯尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;周涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 转移 半导体 芯片 工具 方法 | ||
提出一种用于转移半导体芯片(2)的转移工具(1),所述转移工具具有:‑粘性压模(3),所述粘性压模(3)具有用于容纳所述半导体芯片(2)的粘附面(4),和‑用于调节粘附面(4)的面积的装置(15),其中‑所述粘性压模(3)构成为可变形的,‑所述粘附面(4)通过所述粘性压模(3)的外面的一部分形成,和‑所述粘附面(4)的面积能够通过所述粘性压模(3)的变形来调节。此外,提出一种用于转移半导体芯片(2)的方法。
技术领域
提出一种转移工具。此外,提出一种用于转移半导体芯片的方法。
发明内容
要实现的目的在于,提出一种改进的用于转移半导体芯片的转移工具。另一要实现的目的在于,提出一种方法,借助所述方法能够借助于转移工具特别高效地转移所述半导体芯片。
提出一种用于转移半导体芯片的转移工具。所述转移工具设置为用于,能够实现和执行将至少一个、尤其是多个半导体芯片从源载体尤其是选择性地和/或并行地转移至目标载体。
半导体芯片例如是电子半导体芯片,尤其是光电子半导体芯片。所述光电子半导体芯片,例如发光二极管芯片、光电二极管芯片或激光二极管芯片,具有带有有源区的外延生长的半导体层序列,所述有源区适合用于探测或产生电磁辐射。
根据至少一个实施形式,用于转移半导体芯片的转移工具包括粘性压模。所述转移工具能够包括一个或多个粘性压模。所述粘性压模是转移工具的组件,要转移的半导体芯片容纳在所述组件上并且在转移期间保持在其上。所述粘性压模构成为,使得其能够压贴到半导体芯片上,而不会损坏所述半导体芯片。
根据至少一个实施形式,所述粘性压模具有用于容纳半导体芯片的粘附面。例如,所述粘性压模包括多个粘附面,所述粘附面能够侧向间隔开并且彼此平行伸展地设置。所述粘附面是下述面,在所述面上所述粘性压模在转移期间与半导体芯片直接接触。所述粘附面朝向所述半导体芯片。
根据至少一个实施形式,所述转移工具具有用于调节粘附面的面积的装置。用于调节粘附面的面积的装置例如具有至少一个泵、电容器、电磁体和/或发射辐射的部件,如发光二极管或激光二极管,以便因此改变粘附面的面积,并进而调节所述面积。例如,能够借助于所述装置将力施加到粘性压模上,这引起粘附面的面积发生变化。
根据至少一个实施形式,所述粘性压模构成为可变形的。也就是说,例如通过力的作用,所述粘性压模的形状至少在某些部位发生改变。优选的是,所述粘性压模至少在某些部位借助弹性材料如弹性体形成。特别优选的是,所述粘性压模在变形之后尽可能完全恢复其初始形状。
根据至少一个实施形式,所述粘性压模的粘附面通过所述粘性压模的外面的一部分形成。所述粘性压模的外面是下述面,所述面朝向外对粘性压模限界。因此,所述外面朝向外对粘性压模的三维体部限界。所述粘性压模具有外面的至少一个区域,该区域在转移所述半导体芯片时与所述粘性压模直接接触。所述外面的该区域形成粘附面。所述粘附面例如能够借助弹性体形成。
根据至少一个实施形式,所述粘附面的面积能够通过粘性压模的变形来调节。尤其,能够通过可变形的粘性压模调节所述粘附面的面积。也就是说,通过粘性压模的变形,能够改变所述粘性压模的外面的形状。所述外面的形状的改变引起所述粘附面的面积的改变。所述粘性压模的区域的面积通过粘性压模的变形缩小或增大,其中所述面积在转移所述半导体芯片时直接在其上限界。
根据至少一个实施形式,用于转移半导体芯片的转移工具具有粘性压模和用于调节粘附面的面积的装置,所述粘性压模具有用于容纳所述半导体芯片的粘附面,其中所述粘性压模构成为可变形的,并且所述粘附面通过所述粘性压模的外面的一部分形成。所述粘附面的面积能够通过所述粘性压模的变形来调节。
根据至少一个实施形式,所述粘附面构成为不间断的。不间断表示:所述粘附面构成为连贯的。所述粘附面于是尤其不具有凹部。因此,在体积区域中的凹部不延伸至所述粘附面,并且尤其不会穿透所述粘附面。尤其,所述凹部不完全延伸穿过所述粘性压模。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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