[发明专利]用于将蚀刻层蚀刻的方法

权利要求书

1.一种在堆叠件中蚀刻特征的方法，所述堆叠件包括在衬底上的介电材料，所述方法包括：

(a)由蚀刻气体产生蚀刻等离子体，将所述堆叠件暴露于所述蚀刻等离子体，并且部分地蚀刻所述堆叠件中的特征；

(b)在(a)之后提供原子层沉积工艺以在侧壁上沉积保护膜，所述原子层沉积工艺包括多个循环，其中每个循环包括：

(i)将所述堆叠件暴露于包含WF₆的第一反应物气体，其中所述第一反应物气体被吸附到所述堆叠件上；以及

(ii)将所述堆叠件暴露于由第二反应物气体形成的等离子体，其中由所述第二反应物气体形成的所述等离子体与吸附的第一反应物气体反应以在所述堆叠件上方形成保护膜；以及

(c)至少重复一次(a)-(b)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述提供所述原子层沉积工艺还包括将堆叠件温度保持在150℃以下。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二反应物气体包括含氧组分或含氮组分中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二反应物气体包括COS、CO₂、CO、SO₂、O₂、N₂、NH₃或O₃中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述堆叠件包括SiO₂。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述堆叠件还包括硬掩模。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述硬掩模包括非晶碳、掺杂硼的碳、掺杂硼的硅、掺杂金属的碳或多晶硅中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述提供所述原子层沉积工艺执行2至100个循环。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，每个循环还包括：

在将所述堆叠件暴露于所述第一反应物气体之后且将所述堆叠件暴露于由所述第二反应物气体形成的所述等离子体之前，清扫所述第一反应物气体；以及

在将所述堆叠件暴露于由所述第二反应物气体形成的所述等离子体之后，清扫由所述第二反应物气体形成的所述等离子体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述堆叠件暴露于所述第一反应物气体是无等离子体步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(a)-(c)是原位进行的。