[发明专利]用于将蚀刻层蚀刻的方法

说明书

提供了一种在堆叠件中蚀刻特征的方法，所述堆叠件包括在衬底上的介电材料。在步骤(a)中，由蚀刻气体产生蚀刻等离子体，将所述堆叠件暴露于所述蚀刻等离子体，并且部分地蚀刻所述堆叠件中的特征。在步骤(b)中，在步骤(a)之后提供原子层沉积工艺以在侧壁上沉积保护膜。所述原子层沉积工艺包括多个循环，其中每个循环包括：将所述堆叠件暴露于包含WF₆的第一反应物气体中，其中所述第一反应物气体被吸附到所述堆叠件上；以及将所述堆叠件暴露于由第二反应物气体形成的等离子体，其中由所述第二反应物气体形成的所述等离子体与吸附的第一反应物气体反应以在所述堆叠件上方形成保护膜。在步骤(c)中，至少重复步骤(a)‑(b)一次。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年11月5日提交的美国申请No.62/755,707的优先权利益，其全部内容通过引用并入本文以用于所有目的。

技术领域

本公开内容涉及在半导体晶片上形成半导体设备的方法。更具体地，本公开内容涉及在堆叠件中的蚀刻层中蚀刻凹入特征。

背景技术

在形成半导体设备中，可以对蚀刻层进行蚀刻以形成触点孔或沟槽。一些半导体设备可以通过蚀刻基于氧化硅(SiO₂)的层来形成。

发明内容

为了实现前述目标，并且根据本公开内容的目的，提供了一种在堆叠件中蚀刻特征的方法，所述堆叠件包括在衬底上的介电材料。在步骤(a)中，由蚀刻气体产生蚀刻等离子体，将所述堆叠件暴露于所述蚀刻等离子体，并且部分地蚀刻所述堆叠件中的特征。在步骤(b)中，在步骤(a)之后提供原子层沉积工艺以在侧壁上沉积保护膜。所述原子层沉积工艺包括多个循环，其中每个循环包括：将所述堆叠件暴露于包含WF₆的第一反应物气体中，其中所述第一反应物气体被吸附到所述堆叠件上；以及将所述堆叠件暴露于由第二反应物气体形成的等离子体，其中由所述第二反应物气体形成的所述等离子体与吸附的第一反应物气体反应以在所述堆叠件上方形成保护膜。在步骤(c)中，至少重复步骤(a)-(b)一次。

在另一实现方式中，提供一种用于蚀刻堆叠件中的特征的装置。提供一种处理室。衬底支撑件在所述处理室内。气体入口向所述处理室提供气体。气体源将所述气体提供给气体入口，其中，所述气体源包括：蚀刻气体源；WF₆气体源；和反应物气体源。提供排放泵以用于从所述处理室抽出气体。电极在所述处理室中提供RF功率。至少一个电源向所述电极提供功率。控制器能控制地连接至所述气体源和所述至少一个电源，其中，所述控制器包括：至少一个处理器；和计算机可读介质。所述计算机可读介质包括用于通过第一多个循环执行蚀刻堆叠件的计算机代码，其中所述第一多个循环中的每一个包括：部分地蚀刻所述堆叠件；并且通过原子层沉积，经由提供第二多个循环而在所述堆叠件上沉积层。所述第二多个循环中的每个循环包括：使含WF₆的气体从所述WF₆气体源流动；将所述含WF₆的气体吸附到所述堆叠件上；停止所述含WF₆的气体的流动；以及将所述堆叠件暴露于来自所述反应物气体源的反应物气体的等离子体中，其中所述等离子体将吸附的所述含WF₆的气体转化为原子层沉积层。

本公开内容的这些特征和其它特征将在下面在本公开内容的详细描述中并结合以下附图进行更详细的描述。

附图说明

在附图中以示例而非限制的方式示出了本公开，并且附图中相同的附图标记表示相似的元件，其中：

图1是一种实施方案的高阶流程图。

图2A-G是根据一个实施方案处理的堆叠件的示意图。

图3是可以在实施方案中使用的蚀刻室的示意图。

图4是可用于实践实施方案的计算机系统的示意图。

具体实施方式