[发明专利]弹性波装置在审
申请号: | 201980073441.5 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN112997403A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 大门克也 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/145 | 分类号: | H03H9/145;H03H9/25 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 装置 | ||
1.一种弹性波装置,具备:
压电性基板;以及
IDT电极,其设置在所述压电性基板上,
所述压电性基板具有高声速层和直接或间接设置在所述高声速层上的压电体层,
在所述高声速层传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高,
所述IDT电极具有相对置的第一汇流条及第二汇流条、一端与所述第一汇流条连接的多个第一电极指以及一端与所述第二汇流条连接且与所述多个第一电极指相互交替插入的多个第二电极指,
通过连结所述多个第一电极指的前端而形成的假想线即第一包络线相对于弹性波传播方向倾斜地延伸,通过连结所述多个第二电极指的前端而形成的假想线即第二包络线相对于弹性波传播方向倾斜地延伸,
在所述压电性基板上的位于所述多个第一电极指与所述第二汇流条之间的多个第一间隙以及位于所述多个第二电极指与所述第一汇流条之间的多个第二间隙中的至少一个设置有第一电介质膜,
所述第一电介质膜的密度比氧化硅的密度高。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述第一电介质膜的密度为所述IDT电极的密度以上。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述IDT电极具有一端与所述第一汇流条连接的多个第一虚设电极指以及一端与所述第二汇流条连接的多个第二虚设电极指,
所述多个第一间隙分别位于所述多个第一电极指与所述多个第二虚设电极指之间,所述多个第二间隙分别位于所述多个第二电极指与所述多个第一虚设电极指之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述第一电介质膜到达设置有所述第一电介质膜的所述第一间隙或所述第二间隙的整体。
5.根据权利要求3所述的弹性波装置,其中,
设置于所述第一间隙的所述第一电介质膜到达所述第一间隙的整体,并且,到达所述第一电极指上及所述第二虚设电极指上,
设置于所述第二间隙的所述第一电介质膜到达所述第二间隙的整体,并且,到达所述第二电极指上及所述第一虚设电极指上。
6.根据权利要求3所述的弹性波装置,其中,
设置于所述第一间隙的所述第一电介质膜到达所述第一间隙的整体,并且,到达所述第一电极指及所述第二虚设电极指与所述压电性基板之间,
设置于所述第二间隙的所述第一电介质膜到达所述第二间隙的整体,并且,到达所述第二电极指及所述第一虚设电极指与所述压电性基板之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述压电性基板上设置有第二电介质膜,使得覆盖所述IDT电极及所述第一电介质膜。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电性基板具有设置在所述高声速层与所述压电体层之间的低声速膜,
在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述高声速层是高声速支承基板。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电性基板还具有支承基板,
所述高声速层是设置在所述支承基板上的高声速膜。
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