[发明专利]含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜有效

专利信息
申请号: 201980074082.5 申请日: 2019-11-13
公开(公告)号: CN112969814B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 金铭云;李相益;徐章祐;全相勇;林幸墩 申请(专利权)人: DNF有限公司
主分类号: C23C16/32 分类号: C23C16/32;C23C16/18;C23C16/455;C23C16/02;C23C16/56
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 刘晔;葛强
地址: 韩国大田广*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 薄膜 制造 方法 以及 通过
【权利要求书】:

1.一种含钼薄膜的制造方法,包括以下步骤:

将由下述化学式1表示的钼(0)基碳氢化合物用作薄膜沉积用前驱体并且将碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体来制造含钼薄膜,

[化学式1]

在所述化学式1中,R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基。

2.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法,其中,所述制造方法通过原子层沉积(ALD)法、气相沉积(CVD)法、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、低压气相沉积法(LPCVD)、等离子体增强气相沉积法(PECVD)或等离子体增强原子层沉积法(PEALD)来执行。

3.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法,包括以下步骤:

a)将安装在室内的基板的温度保持为80至500℃;

b)注入输送气体和钼(0)基碳氢化合物;以及

c)注入作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体以在所述基板上制造含钼薄膜。

4.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法,其中,对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物,使用0.1至200摩尔的所述反应气体。

5.如权利要求3所述的含钼薄膜的制造方法,还包括以下步骤:

在所述c)步骤之后进行热处理。

6.如权利要求5所述的含钼薄膜的制造方法,其中,所述热处理在200至700℃中执行。

7.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法,其中,所述反应气体为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2I或SiH2I2

8.如权利要求3所述的含钼薄膜的制造方法,其中,所述输送气体为选自氮、氢、氩和氦中的任一种或两种以上。

9.一种含钼薄膜沉积用组合物,包括:

由下述化学式1表示的钼(0)基碳氢前驱体化合物;以及

作为反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷烷或它们的混合物,

[化学式1]

在所述化学式1中,R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基。

10.如权利要求9所述的含钼薄膜沉积用组合物,其中,对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物,使用0.1至200摩尔的所述反应气体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于DNF有限公司,未经DNF有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980074082.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top