[发明专利]含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜有效
| 申请号： | 201980074082.5 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112969814B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 金铭云;李相益;徐章祐;全相勇;林幸墩 | 申请（专利权）人： | DNF有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/18;C23C16/455;C23C16/02;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 刘晔;葛强 |
| 地址： | 韩国大田广*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 以及 通过 | ||
1.一种含钼薄膜的制造方法，包括以下步骤：
将由下述化学式1表示的钼(0)基碳氢化合物用作薄膜沉积用前驱体并且将碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体来制造含钼薄膜，
[化学式1]
在所述化学式1中，R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
2.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述制造方法通过原子层沉积(ALD)法、气相沉积(CVD)法、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、低压气相沉积法(LPCVD)、等离子体增强气相沉积法(PECVD)或等离子体增强原子层沉积法(PEALD)来执行。
3.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，包括以下步骤：
a)将安装在室内的基板的温度保持为80至500℃；
b)注入输送气体和钼(0)基碳氢化合物；以及
c)注入作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体以在所述基板上制造含钼薄膜。
4.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，其中，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，使用0.1至200摩尔的所述反应气体。
5.如权利要求3所述的含钼薄膜的制造方法，还包括以下步骤：
在所述c)步骤之后进行热处理。
6.如权利要求5所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述热处理在200至700℃中执行。
7.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述反应气体为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2I或SiH2I2。
8.如权利要求3所述的含钼薄膜的制造方法，其中，所述输送气体为选自氮、氢、氩和氦中的任一种或两种以上。
9.一种含钼薄膜沉积用组合物，包括：
由下述化学式1表示的钼(0)基碳氢前驱体化合物；以及
作为反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷烷或它们的混合物，
[化学式1]
在所述化学式1中，R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
10.如权利要求9所述的含钼薄膜沉积用组合物，其中，对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物，使用0.1至200摩尔的所述反应气体。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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