[发明专利]含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜有效
申请号: | 201980074082.5 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN112969814B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 金铭云;李相益;徐章祐;全相勇;林幸墩 | 申请(专利权)人: | DNF有限公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/18;C23C16/455;C23C16/02;C23C16/56 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 刘晔;葛强 |
地址: | 韩国大田广*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 制造 方法 以及 通过 | ||
1.一种含钼薄膜的制造方法,包括以下步骤:
将由下述化学式1表示的钼(0)基碳氢化合物用作薄膜沉积用前驱体并且将碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物用作反应气体来制造含钼薄膜,
[化学式1]
在所述化学式1中,R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
2.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法,其中,所述制造方法通过原子层沉积(ALD)法、气相沉积(CVD)法、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、低压气相沉积法(LPCVD)、等离子体增强气相沉积法(PECVD)或等离子体增强原子层沉积法(PEALD)来执行。
3.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法,包括以下步骤:
a)将安装在室内的基板的温度保持为80至500℃;
b)注入输送气体和钼(0)基碳氢化合物;以及
c)注入作为碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷或它们的混合物的反应气体以在所述基板上制造含钼薄膜。
4.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法,其中,对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物,使用0.1至200摩尔的所述反应气体。
5.如权利要求3所述的含钼薄膜的制造方法,还包括以下步骤:
在所述c)步骤之后进行热处理。
6.如权利要求5所述的含钼薄膜的制造方法,其中,所述热处理在200至700℃中执行。
7.如权利要求1所述的含钼薄膜的制造方法,其中,所述反应气体为I2、CH3I、CH2I2、CHI3、CH3CH2I、CH3CHI2、ICH2CH2I、CH3CH2CH2I、CH3CHICH3、ICH2CH2CH2I或SiH2I2。
8.如权利要求3所述的含钼薄膜的制造方法,其中,所述输送气体为选自氮、氢、氩和氦中的任一种或两种以上。
9.一种含钼薄膜沉积用组合物,包括:
由下述化学式1表示的钼(0)基碳氢前驱体化合物;以及
作为反应气体的碘、(C1-C3)烷基碘、碘化硅烷烷或它们的混合物,
[化学式1]
在所述化学式1中,R1至R6彼此独立地为氢或C1-C7烷基。
10.如权利要求9所述的含钼薄膜沉积用组合物,其中,对于1摩尔的钼(0)基碳氢化合物,使用0.1至200摩尔的所述反应气体。
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