[发明专利]含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜

说明书

本发明提供含钼薄膜的制造方法以及通过其制造的含钼薄膜，本发明的含钼薄膜的制造方法使用钼(0)基碳氢化合物和特定反应气体，从而能够通过简单的工艺容易地制造高纯度薄膜。

技术领域

本发明涉及含钼薄膜的制造方法以及通过该制造方法制造的含钼薄膜，并且更详细地涉及将钼(0)基碳氢化合物作为薄膜沉积前驱体来与作为特定反应气体的碘、烷基碘(alkyl iodide)、碘化硅烷(silyl iodide)或它们的混合物进行反应以制造含钼薄膜的方法以及通过该方法制造的含钼薄膜。

背景技术

含有钼的薄膜可在有机发光二极管、液晶显示器、等离子体显示面板、场发射显示器、薄膜太阳能电池、低电阻欧姆(ohmic)、其它电子装置和半导体装置中使用，并且主要被用作势垒膜等的电子零件的部件。

钼、钼氧化物和钼氮化物因低电阻、大功函数(work function)和热/化学稳定性而广泛地使用在多种领域中。金属钼具有15μΩcm以下的低比电阻，因此可适用为显示装置的布线，钼氧化物(MoO2)展现出出色的类金属导电性且可适用于碳氢氧化催化剂、固体氧化物燃料电池(SOFC)阳极和高(high)容量可逆锂离子电池(LIB)阳极，并且三氧化钼(MoO3)展现出电致变色(electrochromic)特性和催化剂特性且可适用于纳米结构的气体传感器和固态锂离子电池。

另外，在半导体器件中作为薄膜沉积法，正在研究着使用分子束生长法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)等的方法。最近，随着半导体器件的小型化，设计规则减少，而由此作为满足低温工艺、精确的厚度控制、薄膜的均匀性和涂覆性的沉积方法，正在广泛研究着使用根据自限表面反应机理(self-limiting surfacereaction mechanism)的原子层沉积法(Atomic Layer Deposition，ALD)的薄膜成型。

用于含有钼氧化物的薄膜制造的化学气相生长法用原料，已报道过诸如羰基钼[Mo(CO)₆]、乙酰丙酮钼、氯化钼(MoCl₃或MoCl₅)、氟化钼(MoF₆)、MoO₂(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)₂、双环戊二烯基二氢化钼、双甲基环戊二烯基二氢化钼、双乙基环戊二烯基二氢化钼、双异丙基环戊二烯基二氢化钼、双环戊二烯基酰亚胺钼的有机钼化合物以及氯氧化钼(MoO₂Cl₂或MoOCl₄)。此外，作为通过ALD的含有钼水的薄膜成型用原料，已报道过钼酰胺亚胺化合物。

然而，传统的含钼薄膜沉积工艺将氧用作反应气体，因此存在着必须进行还原工艺的问题。

因此，需要通过简单的工艺减少薄膜内的杂质的含量来制造高纯度的含钼薄膜的方法。

发明内容

要解决的技术问题

本发明旨在解决如上所述的问题，其提供将钼(0)基碳氢化合物用作含钼薄膜沉积用前驱体的同时使用特定反应气体的含钼薄膜的制造方法以及通过该制造方法制造的含钼薄膜。

此外，本发明提供包含钼(0)基碳氢化合物和特定反应气体的含钼薄膜沉积用组合物。

解决问题的手段

本发明提供在将钼(0)基碳氢化合物用作前驱体的同时使用特定反应气体从而通过简单的工艺的高纯度的含钼薄膜的制造方法，

本发明的含钼薄膜的制造方法的特征在于包括以下步骤：

将钼(0)基碳氢化合物用作薄膜沉积用前驱体，以及