[发明专利]钌除去用组合物在审
| 申请号： | 201980074709.7 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112997278A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 柏木一树;大和田拓央 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 贾军华;徐迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 除去 组合 | ||
1.一种残存于基板的钌的除去用组合物，其中，
25℃时的pH为8以上，包含1种或2种以上的pH缓冲成分。
2.根据权利要求1所述的除去用组合物，其中，25℃时的pH为8以上且低于11。
3.根据权利要求2所述的除去用组合物，其中，pH缓冲成分为选自硼酸、硼酸盐、磷酸、磷酸盐和碳酸氢盐的1种或2种以上。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的除去用组合物，其中，包含0.1～5.0重量％的pH缓冲成分。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的除去用组合物，其中，包含不含金属元素的氧化剂，且不含含金属元素的氧化剂。
6.根据权利要求5所述的除去用组合物，其中，不含金属元素的氧化剂为碘化合物。
7.根据权利要求6所述的除去用组合物，其中，碘化合物为高碘酸或其盐。
8.根据权利要求7所述的除去用组合物，其中，高碘酸或其盐为选自原高碘酸、原高碘酸钠、偏高碘酸和偏高碘酸钠的1种或2种以上。
9.根据权利要求6～8中的任一项所述的除去用组合物，其中，包含1.0～10.0重量％的碘化合物。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的除去用组合物，其中，该组合物为水溶液。
11.一种使用权利要求1～10所述的除去用组合物，除去残存于基板的钌的方法。
12.一种使用包含1种或2种以上的碘化合物且25℃时的pH为8以上的除去用组合物，抑制四氧化钌的产生的同时，除去残存于基板的钌的方法。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，除去用组合物还包含1种或2种以上的pH缓冲成分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
