[发明专利]钌除去用组合物

说明书

本发明的目的在于提供一种可充分除去残存于基板的Ru，并且能够抑制RuO₄气体的产生的除去用组合物。一种残存于基板的钌的除去用组合物，其中，25℃时的pH为8以上，包含1种或2种以上的pH缓冲成分。

技术领域

本发明涉及用于除去残存于基板的钌的组合物。

背景技术

近年来，作为半导体元件的电极和布线材料、以及光刻掩模的掩模材料，使用钌(Ru)的情况正在增加。Ru具有阻抗低，且在结构的微细化和薄膜化中，性能的劣化上等优点。另一方面，如果使用化学气相沉积法(CVD)或原子层沉积法(ALD)将Ru在硅基板上进行成膜，则基板的端面或背面会附着含Ru金属。如果其残存于基板上，则可能会对元件特性产生显著的不良影响，因此，需要除去该含Ru金属(专利文献1)。

作为用于除去含Ru金属的组合物，对分别包含次氯酸(专利文献1)、溴化氢(专利文献2)、氯(专利文献3)、硝酸铈盐(专利文献4和5)、高碘酸(专利文献6～8)的组合物进行了探讨。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2002-161381号

专利文献2:国际公开第2011/074601号

专利文献3:日本专利特开2008-280605号

专利文献4:日本专利特开2001-234373号

专利文献5:日本专利特开2002-231676号

专利文献6:国际公开第2016/068183号

专利文献7:日本专利特开2018-121086号公报

专利文献8:日本专利特开2001-240985号公报

发明的概要

本发明人遇到了Ru在除去用组合物中进一步氧化形成四氧化钌(RuO₄)，作为有毒气体挥发，可能会对操作者的健康和周围环境造成影响的问题。该情况下，为了捕获RuO₄，需要采取在排气管设置活性炭过滤器等对策，气体化的RuO₄接触有机物就会立即被还原而形成黑色的二氧化钌(RuO₂)，可能会因附着于设备等而倒过来污染基板。

于是，本发明人以提供抑制RuO₄的产生、安全、不需要特别的设施的Ru除去用组合物为新的课题进行了探讨。即，本发明的目的在于提供一种可充分除去残存于基板的Ru，并且能够抑制RuO₄气体的产生的除去用组合物。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明人为了解决所述问题而反复认真研究的过程中，发现通过使Ru除去用组合物的25℃时的pH达到8以上，可抑制RuO₄气体的产生。另外，发现所述的Ru除去用组合物中，通过加入1种或2种以上的缓冲成分，可维持足够的蚀刻速率，并且实现较长的溶液寿命，进一步进行研究后，完成了本发明。

即，本发明涉及以下内容。

[1]一种残存于基板的钌的除去用组合物，其中，

25℃时的pH为8以上，包含1种或2种以上的pH缓冲成分。

[2]根据上述[1]所述的除去用组合物，其中，25℃时的pH为8以上且低于11。

[3]根据上述[1]或[2]所述的除去用组合物，其中，pH缓冲成分为选自硼酸、硼酸盐、磷酸、磷酸盐和碳酸氢盐的1种或2种以上。