[发明专利]利用堆栈的垂直装置的微电子装置

权利要求书

1.一种包括多个层的微电子器件，所述微电子器件包括：

垂直堆叠且串联连接的第一对晶体管，所述第一对晶体管中的每一者是相同的类型；以及

并联连接的第二对晶体管，所述第二对晶体管是与所述第一对晶体管不同的类型，

其中所述第一对晶体管和所述第二对晶体管被布置为基本上垂直于所述多个层。

2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第一对晶体管中的一个晶体管的栅极和所述第二对晶体管中的一个晶体管的栅极彼此连接，并且对应于所述微电子器件的第一输入，其中所述第一对晶体管中的所述一个晶体管的所述栅极和所述第二对晶体管中的所述一个晶体管的所述栅极被布置在所述微电子器件的同一层中。

3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第一对晶体管中的一个晶体管的栅极和所述第二对晶体管中的一个晶体管的栅极彼此连接，并且对应于所述微电子器件的第二输入，其中所述第一对晶体管中的所述一个晶体管的所述栅极和所述第二对晶体管中的所述一个晶体管的所述栅极被布置在所述微电子器件的不同层中。

4.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括：

内部连接元件，所述内部连接元件布置在单层中并且将所述第二对晶体管彼此连接。

5.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括：

电源轨，所述电源轨布置在所述第一对垂直堆叠的晶体管的一端，以及

信号互连导体，所述信号互连导体布置在所述第一对垂直堆叠的晶体管的相对端。

6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述微电子器件是与非门或或非门。

7.一种包括多个层的微电子器件，所述微电子器件包括：

垂直堆叠且串联连接的第一对晶体管，所述第一对晶体管中的每一者是相同的类型；以及

第二对晶体管，所述第二对晶体管并联连接并且布置在同一层中，所述第二对晶体管是与所述第一对晶体管不同的类型，

其中所述第一对晶体管和所述第二对晶体管被布置为基本上垂直于所述多个层，

其中所述第一对晶体管中的一个晶体管的栅极和所述第二对晶体管中的一个晶体管的栅极彼此连接，并且对应于所述微电子器件的第一输入，其中所述第一对晶体管中的所述一个晶体管的栅极和所述第二对晶体管中的所述一个晶体管的栅极被布置在所述微电子器件的同一层中，以及

其中所述第一对晶体管中的一个晶体管的栅极和所述第二对晶体管中的一个晶体管的栅极彼此连接，并且对应于所述微电子器件的第二输入，其中所述第一对晶体管中的所述一个晶体管的所述栅极和所述第二对晶体管中的所述一个晶体管的所述栅极被布置在所述微电子器件的不同层中。

8.根据权利要求7所述的微电子器件，进一步包括：

内部连接元件，所述内部连接元件布置在单层中并且将所述第二对晶体管彼此连接。

9.根据权利要求7所述的微电子器件，进一步包括：

电源轨，所述电源轨连接至所述第一对垂直堆叠的晶体管的一端，以及

信号互连导体，所述信号互连导体连接到所述第一对垂直堆叠的晶体管的相对端。

10.根据权利要求7所述的微电子器件，其中所述微电子器件是与非门或或非门。

11.根据权利要求9所述的微电子器件，其中所述电源轨包括VDD电源轨和接地电源轨。

12.根据权利要求7所述的微电子器件，进一步包括：

布置在第一层中的电源轨；以及

布置在第二层中的信号互连导体，其中所述第一对垂直堆叠的晶体管和所述第二对晶体管布置在所述第一层和所述第二层之间。