[发明专利]可用于下一代光刻法中的硬掩模制作方法

权利要求书

1.一种在衬底上制作成像层的方法，所述方法包含：

提供衬底，所述衬底具有包含暴露的羟基基团的表面；以及

在所述衬底的所述表面上形成烃基封端的SnO_x膜以作为成像层，所述烃基封端的SnO_x膜具有锡-碳键，所述锡-碳键能通过照射所述成像层而裂解。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述烃基封端的SnO_x膜成像层包含：使所述衬底的所述表面与烃基取代的锡封端剂接触，所述烃基取代的锡封端剂在进行所述成像层的所述照射时经历锡-碳键裂解。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃基取代的锡封端剂作为封闭剂，以防止来自与所述表面接触的溶液的可溶性金属氧化物前体的附着或生长。

4.根据权利要求1-3其中任一项所述的方法，其中所述烃基取代的锡封端剂具有下式：

R_nSnX_4-n

其中，R为C₂-C₁₀烷基或包含β-氢的取代烷基，X为在与所述暴露的羟基基团的羟基基团反应时的离去基团，以及n＝1-3。

5.根据权利要求4所述的方法，其中R选自于由叔丁基、叔戊基、叔己基、环己基、异丙基、异丁基、仲丁基、正丁基、正戊基、正己基、以及其在β位置上具有杂原子取代基的衍生物所组成的群组。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中X选自于由二烷基酰胺基(例如二甲基酰胺基、甲基乙基酰胺基、或二乙基酰胺基)、醇(例如叔丁氧基、异丙氧基)、以及卤素(如F、Cl、Br、或I)所组成的群组。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述烃基取代的锡封端剂选自于由叔丁基三(二甲基氨基)锡、正丁基三(二甲基氨基)锡、叔丁基三(二乙基氨基)锡、异丙基三(二甲基氨基)锡、叔丁基三(叔丁氧基)锡、正丁基(三(叔丁氧基)锡、二(叔丁基)二(二甲基氨基)锡、仲丁基三(二甲基氨基)锡、正戊基三(二甲基氨基)锡、异丁基三(二甲基氨基)锡、异丙基三(二甲基氨基)锡、叔丁基三(叔丁氧基)锡、正丁基三(叔丁氧基)锡和异丙基三(叔丁氧基)锡所组成的群组。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述衬底包含非晶碳(a-C)、SnO_x、SiO₂、SiO_xN_y、SiO_xC、Si₃N₄、TiO₂、TiN、W、W-掺杂C、WO_x、HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃或Bi₂O₃。

9.根据权利要求1-8其中任一项所述的方法，其中所述提供包含在所述衬底材料的所述表面上形成羟基封端的SnO_x层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述形成包含通过气相沉积在所述表面上沉积羟基封端的SnO_x层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述沉积包含Sn-X_n与含氧相对反应物的反应，其中X为二烷基酰胺基(例如二甲基酰胺基、甲基乙基酰胺基、二乙基酰胺基)、醇(叔丁氧基、异丙氧基)、或卤素(如F、Cl、Br、以及I)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中Sn-X_n是SnCl₄、SnI₄或Sn(NR₂)₄，其中R为甲基或乙基、或Sn(t-BuO)₄。