[发明专利]单晶X射线构造解析装置和方法及用于其的试料保持器在审
申请号: | 201980076225.6 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN113056669A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 佐藤孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社理学 |
主分类号: | G01N23/20025 | 分类号: | G01N23/20025;G01N23/205;G01N23/207;G01N1/28 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王晖 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 构造 解析 装置 方法 用于 保持 | ||
1.一种单晶X射线构造解析装置,进行物质的构造解析,其特征在于,具备:
X射线源,产生X射线;
试料保持器,对试料进行保持;
测角仪,安装并转动所述试料保持器;
X射线照射部,针对被安装于所述测角仪的所述试料保持器所保持的所述试料,照射来自所述X射线源的X射线;
X射线检测测定部,对被所述试料衍射或散射的X射线进行检测并测定;和
构造解析部,基于由所述X射线检测测定部检测出的衍射X射线或散射X射线,进行所述试料的构造解析,
所述试料保持器包括能够将所述试料吸附到形成在内部的多个微细孔的细孔性复合晶体,
所述细孔性复合晶体在所述试料保持器被安装在所述测角仪的状态下,被固定在所述试料保持器的被照射来自所述X射线照射部的X射线的位置。
2.根据权利要求1所述的单晶X射线构造解析装置,其特征在于,
所述试料保持器可自由装卸地安装在所述测角仪的前端部。
3.一种试料保持器,在单晶X射线构造解析装置中使用,其特征在于,所述试料保持器具备:
基台部,被安装在所述单晶X射线构造解析装置的测角仪;和
保持部,形成在所述基台部,对能够将试料吸附到形成在内部的多个微细孔的细孔性复合晶体进行保持,
所述细孔性复合晶体在所述基台部被安装在所述测角仪的状态下,被固定在所述试料保持器的被照射来自所述X射线照射部的X射线的位置。
4.根据权利要求3所述的试料保持器,其特征在于,
所述基台部形成有:对用于使所述细孔性复合晶体吸附的所述试料进行导入的试料导入构造。
5.根据权利要求4所述的试料保持器,其特征在于,
所述细孔性复合晶体被固定在所述保持部的前端部。
6.根据权利要求3所述的试料保持器,其中,
所述保持部形成有:对用于使所述细孔性复合晶体吸附的所述试料进行导入的试料导入构造。
7.根据权利要求6所述的试料保持器,其特征在于,
所述细孔性复合晶体被固定在形成于所述保持部的试料导入构造的内部。
8.一种单晶X射线构造解析方法,利用试料保持器来进行物质的构造解析,其特征在于,所述单晶X射线构造解析方法包括:
将试料保持器安装在所述测角仪的工序,所述试料保持器具备:基台部,被安装在单晶X射线构造解析装置的测角仪;保持部,形成在所述基台部;和细孔性复合晶体,被安装在所述保持部,能够将所述试料吸附到形成在内部的多个微细孔,在所述细孔性复合晶体中吸附有试料;
将来自所述单晶X射线构造解析装置的X射线源的X射线照射在所述试料,并对被所述试料衍射或散射的X射线进行检测并测定的工序;和
基于由所述X射线检测测定工序检测出的衍射X射线或散射X射线,进行要测定的所述试料的构造解析的工序。
9.根据权利要求8所述的单晶X射线构造解析方法,其特征在于,
所述单晶X射线构造解析方法还包括:将要测定的试料导入所述试料保持器,并在所述细孔性复合晶体进行所述试料的吸附的工序。
10.根据权利要求9所述的单晶X射线构造解析方法,其特征在于,
所述吸附工序使所述细孔性复合晶体吸附利用形成在所述试料保持器的试料导入构造而被导入的试料。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的单晶X射线构造解析方法,其特征在于,
所述X射线检测测定工序一边转动安装在所述测角仪的所述试料保持器,一边将所述X射线照射在所述试料。
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