[发明专利]用于图像传感器的基板在审
申请号: | 201980076436.X | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN113169196A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 朴德勋;白智钦;孙荣晙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/232;H04N5/225;H05K1/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 | ||
1.一种用于图像传感器的基板,包括:
绝缘层;以及
导电图案部,所述导电图案部设置在所述绝缘层上,
其中,所述绝缘层包括:
第一绝缘部;以及
第二绝缘部,所述第二绝缘部包围所述第一绝缘部并且与所述第一绝缘部间隔开,并且在所述第一绝缘部与所述第二绝缘部之间具有开口区域,
其中,所述导电图案部包括:
第一引线图案部,所述第一引线图案部设置在所述第一绝缘部上;
第二引线图案部,所述第二引线图案部设置在所述第二绝缘部上;以及
延伸图案部,所述延伸图案部设置在所述绝缘层的所述开口区域上以将所述第一引线图案部与所述第二引线图案部连接,并且所述延伸图案部包括弯曲部。
2.一种用于图像传感器的基板,包括:
弹簧板,所述弹簧板具有设置在第一开口区域中的弹性构件;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述弹簧板上并且包括暴露所述第一开口区域的第二开口区域;以及
导电图案部,所述导电图案部设置在所述绝缘层上,
其中,所述弹簧板包括:
第一板部;以及
第二板部,所述第二板部设置为包围所述第一板部,所述第一开口区域设置在所述第一板部与所述第二板部之间,并且所述第二板部通过所述弹性构件连接至所述第一板部,
其中,所述绝缘层包括:
第一绝缘部,所述第一绝缘部设置在所述第一板部上;以及
第二绝缘部,所述第二绝缘部设置在所述第二板部上,
其中,所述导电图案部包括:
第一引线图案部,所述第一引线图案部设置在所述第一绝缘部上;
第二引线图案部,所述第二引线图案部设置在所述第二绝缘部上;以及
延伸图案部,所述延伸图案部设置在所述第一引线图案部与所述第二引线图案部之间的所述第二开口区域上,并且所述延伸图案部不与所述绝缘层接触。
3.一种用于图像传感器的基板,包括:
绝缘层;以及
导电图案部,所述导电图案部设置在所述绝缘层上,
其中,所述绝缘层包括:
第一绝缘部;
第二绝缘部,所述第二绝缘部设置为围绕所述第一绝缘部并且与所述第一绝缘部间隔开,并且在所述第一绝缘部与所述第二绝缘部之间具有开口区域;以及
延伸绝缘部,所述延伸绝缘部连接在所述第一绝缘部与所述第二绝缘部之间,
其中,所述导电图案部包括:
第一引线图案部,所述第一引线图案部设置在所述第一绝缘部上;
第二引线图案部,所述第二引线图案部设置在所述第二绝缘部上;以及
延伸图案部,所述延伸图案部设置在所述延伸绝缘部上并且连接在所述第一引线图案部与所述第二引线图案部之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板,其中,所述延伸图案部的长度大于所述第一引线图案部与所述第二引线图案部之间的线性距离。
5.根据权利要求4所述的基板,其中,所述延伸图案部具有在所述第一引线图案部和所述第二引线图案部之间的所述线性距离的1.5倍至4倍之间的长度。
6.根据权利要求3所述的基板,其中,所述延伸图案部和所述延伸绝缘部在光轴方向上彼此重叠。
7.根据权利要求3所述的基板,其中,所述延伸绝缘部的线宽大于所述延伸图案部的线宽。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的基板,其中,所述第一引线图案部、所述第二引线图案部和所述延伸图案部包括:
金属层;以及
镀层,所述镀层设置在所述金属层上。
9.根据权利要求2所述的基板,其中,所述延伸图案部在光轴方向上不与所述弹性构件重叠。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的基板,其中,所述延伸图案部由铜(Cu)-镍(Ni)、铜(Cu)-锡(Sn)、铜(Cu)-铍(Be)和铜(Cu)-钴(Co)中的任一个的二元合金、或者铜(Cu)-镍(Ni)-锡(Sn)和铜(Cu)-铍(Be)-钴(Co)中的任一个的三元合金形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的