[发明专利]半导体激光器和半导体激光器的制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器(1)，具有壳体(2)和多个激光二极管芯片(31、32、33)，所述激光二极管芯片封装在所述壳体(2)中，其中，

-所述壳体(2)包括盖板(23)和/或侧壁(20)，所述盖板和/或所述侧壁对于在运行中产生的激光辐射(41、42、43)是能穿过的，

-所述盖板(23)和/或所述侧壁(20)具有光出射面(24)，所述光出射面具有彼此并排布置的出射区域(61、62、63)，

-所述出射区域(61、62、63)中的每一个刚好关联所述激光二极管芯片(31、32、33)之一，

-在光束路径中，光出射平面(26)布置在所述光出射面(24)下游，并且

-所述盖板(23)和/或所述侧壁(20)在所述出射区域(61、62、63)中具有不同的平均厚度，使得所有所述激光二极管芯片(31、32、33)的所述激光辐射(41、42、43)的至所述光出射平面(26)的光学路径长度都是相等的且具有最高为3μm的公差。

2.根据前一权利要求所述的半导体激光器(1)，其中，所述出射区域(61、62、63)分别是所述光出射面(24)的平坦的局部表面，并且所述出射区域(61、62、63)全部位于所述盖板(23)中，其中，所述公差最高为1.5μm，在该公差之内，所述光学路径长度是相等的。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(1)，

其中，所述激光二极管芯片(31、32、33)是边缘发射的半导体激光器芯片，

其中，在运行中实现了沿平行于所述光出射平面(26)的方向的、所述激光二极管芯片(31、32、33)的发射，并且

其中，在所述壳体(2)中，至少一个偏转光学件(51)布置在所述激光二极管芯片(31、32、33)下游，所述偏转光学件(51)设置用于将在运行中产生的所述激光辐射(41、42、43)朝向所述盖板(23)偏转。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(1)，

其中，所述壳体(2)还包括基板(21)和中间部分(22)，其中，所述基板(21)、所述中间部分(22)和所述盖板(23)借助于阳极压焊和/或焊接彼此邻接，使得所述激光二极管芯片(31、32、33)气密地密封封装在所述壳体(2)中，并且

其中，所述中间部分(22)和所述盖板(23)由同一材料制成。

5.根据前两项权利要求所述的半导体激光器(1)，

其中，中间部分(22)安置在基板(21)与所述盖板(23)之间，并且

其中，所述中间部分(22)包括刚好一个作为凹槽的平坦、倾斜的边界面的偏转光学件(51)，并且所述激光二极管芯片(31、32、33)布置在所述中间部分(22)的所述凹槽中。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(1)，

其中，在所述出射区域(61、62、63)之外，所述盖板的厚度大于或等于0.2mm并且小于或等于2mm，

其中，在所述出射区域(61、62、63)中的至少一个出射区域中的厚度减少量为最小0.1mm。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(1)，

其中，所述盖板(23)和/或所述侧壁(20)由玻璃制成，其中，对于在运行中产生的所述激光辐射(41、42、43)，在温度为300K的情况下，所述盖板(23)和/或所述侧壁(20)的折射率大于或等于1.4并且小于或等于1.6。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体激光器(1)，

其中，所述出射区域(61、62、63)在所述光出射面(24)的俯视图中和/或在穿过所述光出射面(24)的截面图中展示出不同的形状。