[发明专利]半导体激光器和半导体激光器的制造方法

说明书

在实施方式中半导体激光器(1)包括壳体(2)，其中封装有多个激光二极管芯片(31、32、33)。壳体(2)包括盖板(23)和/或侧壁(20)，盖板和/或侧壁对于产生的激光辐射(41、42、43)是能穿过的。盖板(23)和/或侧壁(20)具有带有彼此并排布置的出射区域(61、62、63)的光出射面(24)。每个出射区域(61、62、63)关联激光二极管芯片(31、32、33)中的恰好一个。光出射平面(26)布置在光出射面(24)下游。盖板(23)和/或侧壁(20)在出射区域(61、62、63)中具有不同的平均厚度，使得所有激光二极管芯片(31、32、33)的激光辐射到光出射平面(26)的光学路径长度都是相等的且具有最高为1.5的公差。

技术领域

本发明给出一种半导体激光器。此外，给出半导体激光器的制造方法。

背景技术

想要实现的目的是给出一种能够有效率制造的半导体激光器并且该半导体激光器发射具有限定的光学特征辐射。

除此以外，该目的通过半导体激光器并且通过具有独立权利要求的特征的制造方法来实现。优选的改进方案是从属权利要求的内容。

发明内容

根据至少一个实施方式，半导体激光器包括壳体。壳体优选是气密密封的。例如该壳体包括半导体材料像硅和/或锗或者包括金属载体，如钼板。此外，壳体优选包括至少一个透明的材料，如玻璃和/或蓝宝石片。此外，壳体能够含有塑料。气密表示，在壳体的内部与外部之间无法发生微小物质、如氧气或者水蒸气的交换。气密密封表示例如渗透率最高达5x10^-9Pam/s，特别是在室温的情况下。

根据至少一个实施方式，壳体包括一个或者多个激光二极管芯片。至少一个激光二极管芯片安置并且密封在壳体中。特别地，激光二极管芯片位于壳体中凹槽中。

根据至少一个实施方式，该壳体包括盖板。盖板对于在运行中产生的激光辐射是至少局部可穿过的。盖板能够来由单独的、均匀的材料制成。替代地，盖板包括对于激光辐射可穿过的区域，该区域能够嵌入其他材料中，其中，其他材料不需要对于激光辐射是可穿过的。在盖板上有窗口，激光辐射能够通过该窗口射出。盖板含有对于在运行中产生的激光辐射的光出射面。

优选的，盖板形成了壳体的盖，其中，盖板能够封闭壳体的凹槽。激光二极管芯片优选地安装在凹槽的底部处，使得盖板能够与激光二极管芯片间隔地布置。因此，盖板优选地与激光二极管芯片的装配平台不同。

根据至少一个实施方式，光出射面包括并排排列的用于激光辐射的出射区域。在光出射面的俯视图中，出射区域优选地不叠加。相邻出射区域之间的距离例如最小是0.1mm或者0.4mm或者1mm。

替代于盖板，能够将壳体的侧壁作为对产生的激光辐射的出射窗口。具有并排排列的出射区域的光出射面处于侧壁中，特别是处于侧壁的外侧处。此外，可行的是，在一个或多个侧壁和在盖板上分布具有并排排列的出射区域的光出射面。如果侧壁包括至少一个出射区域，那么之前以及之后给出的盖板的实施例同样也适用于侧壁。

此外，基板也能够具有盖板的功能，激光二极管芯片安置在基板上。在这种情况下，盖板的特征相应的也适用于基板。

根据至少一个实施方式，每个出射区域恰好关联激光二极管芯片之一。在出射区域与激光二极管芯片之间优选存在1:1分配。

根据至少一个实施方式，在光束路径中，光出射平面布置在光出射面的下游。在穿过光出射面之后，光出射平面优选的垂直于激光二极管芯片的发射方向定向。可行的是，光出射面至少位于出射区域以外区域的光出射平面中。