[发明专利]氧化物半导体膜的蚀刻方法

权利要求书

1.氧化物半导体膜的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括：

通过使用第一稀有气体，在所述氧化物半导体膜中形成改性层；和

通过使用不同于所述第一稀有气体的第二稀有气体，对所述改性层进行溅射。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜的蚀刻方法，其中，作为所述第一稀有气体，使用具有比所述第二稀有气体的分子量小的分子量的稀有气体。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜的蚀刻方法，其中，在用所述第一稀有气体向所述氧化物半导体膜照射之后，用所述第二稀有气体照射。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜的蚀刻方法，其中，将所述第一稀有气体和所述第二稀有气体混合后，向所述氧化物半导体膜照射。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜的蚀刻方法，其中，将所述第一稀有气体和所述第二稀有气体交替地向所述氧化物半导体膜照射。

6.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜的蚀刻方法，其中，作为所述第一稀有气体，使用氦(He)和氖(Ne)中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜的蚀刻方法，其中，作为所述第二稀有气体，使用氖(Ne)、氩(Ar)和氙(Xe)中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜的蚀刻方法，其中，所述氧化物半导体膜包含下列中的任一者：氧化铟、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟镓锌氧化物(IGZO或In-GaZnO₄)、铟锡锌氧化物(ITZO)、IFO(掺杂有F的In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、ATO(掺杂有Sb的SnO₂)、FTO(掺杂有F的SnO₂)、氧化锌(ZnO)、铝锌氧化物(AZO)、镓锌氧化物(GZO)、氧化钛(TiO₂)、铌钛氧化物(TNO)、氧化锑、尖晶石型氧化物、具有YbFe₂O₄结构的氧化物、镓氧化物、钛氧化物、铌氧化物和镍氧化物。