[发明专利]氧化物半导体膜的蚀刻方法

说明书

在根据本发明的实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻方法中，通过使用第一稀有气体在所述氧化物半导体膜中形成改性层，并且通过使用与所述第一稀有气体不同的第二稀有气体对所述改性层进行溅射。

技术领域

本发明涉及一种例如用于构成电子设备中的电极的氧化物半导体膜的蚀刻方法。

背景技术

作为氮化硅(SiN)膜的蚀刻方法，例如，非专利文献1报道了一种如下的蚀刻方法，其中通过氢等离子体照射而在表面上形成改性层，然后通过氟自由基照射来进行该改性层的去除。

引用文献列表

非专利文献

非专利文献1：Sonam D.Sherpa and Alok Ranjan.,J.Vac.Sci.Technol.A35,01A102(2017)

发明内容

然而，在如上所述将氢等离子体用于氧化物半导体膜的蚀刻的情况下，存在着氧化物半导体膜的组成会随时间而发生变化并且因而导致了含有氧化物半导体膜的器件的特性劣化的问题。

期望提供一种氧化物半导体的蚀刻方法，其能够抑制氧化物半导体膜的组成比的经时变化(temporal change)。

在根据本发明的实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻方法中，通过使用第一稀有气体在氧化物半导体膜中形成改性层，并且通过使用与第一稀有气体不同的第二稀有气体对改性层进行溅射。

在根据本发明的实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻方法中，在使用第一稀有气体在氧化物半导体膜中形成改性层后，使用第二稀有气体对改性层进行溅射，藉此防止氧从溅射之后的氧化物半导体膜中脱离。

附图说明

图1A是用于说明根据本发明的第一实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻方法的截面示意图。

图1B是示出了图1A之后的步骤的截面示意图。

图1C是示出了图1B之后的步骤的截面示意图。

图2是示出了一般的蚀刻之前和之后的膜组成变化的特性图。

图3A是H₂等离子体照射之后的ITO膜的TEM(Transmission ElectronMicroscope：透射电子显微镜)图像的示意图。

图3B是示出了图3A中所示的A和B中的In与O之间的组成比的图。

图4A是示出了由稀有气体照射引起的氧化物半导体膜的膜结构的变化的示意图。

图4B是示出了图4A之后的由稀有气体照射引起的氧化物半导体膜的膜结构的变化的示意图。

图4C是示出了图4B之后的由稀有气体照射引起的氧化物半导体膜的膜结构的变化的示意图。

图5A是用于说明根据本发明的第二实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻方法的截面示意图。

图5B是示出了图5A之后的步骤的截面示意图。

图6A是示出了根据第三实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻步骤的截面示意图。

图6B是示出了图6A之后的步骤的截面示意图。

图6C是示出了图6B之后的步骤的截面示意图。

图7是示出了包括氧化物半导体膜的摄像元件的构造的框图，该氧化物半导体膜是通过使用图1A至图1C等所示的蚀刻方法而被加工的。

图8是包括于图7所示的摄像元件中的光电转换元件的截面示意图。

图9是用于说明包括图7所示的摄像元件的电子装置的构造的图。