[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其具备：

第1导电体，包含在沿着第1方向积层的第1积层体；

第2导电体，包含在与所述第1积层体分离并沿着所述第1方向积层的第2积层体，且与所述第1导电体同层；

第1半导体，在所述第1积层体与所述第2积层体之间包含：

第1部分及第2部分，各自沿着所述第1方向延伸，且在同层中相互分离；及

第3部分，在比所述第1导电体及所述第2导电体下方，将所述第1部分与所述第2部分电连接；

第1电荷蓄积膜，位于所述第1导电体与所述第1半导体的所述第1部分之间；

第2电荷蓄积膜，位于所述第2导电体与所述第1半导体的所述第2部分之间；

第1绝缘体，位于所述第1导电体与所述第1电荷蓄积膜之间；

第2绝缘体，位于所述第2导电体与所述第2电荷蓄积膜之间；

第3绝缘体，位于所述第1绝缘体与所述第1电荷蓄积膜之间；及

第4绝缘体，位于所述第2绝缘体与所述第2电荷蓄积膜之间；且

所述第3绝缘体及所述第4绝缘体的介电常数大于所述第1绝缘体及所述第2绝缘体的介电常数。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其具备：

第3导电体，沿着所述第1方向积层在所述第1导电体；

第4导电体，沿着所述第1方向积层在所述第2导电体，在与所述第3导电体同层中相互分离；

第3电荷蓄积膜，位于所述第3导电体与所述第1半导体的所述第1部分之间；

第4电荷蓄积膜，位于所述第4导电体与所述第1半导体的所述第2部分之间；

第5绝缘体，位于所述第3导电体与所述第3电荷蓄积膜之间；

第6绝缘体，位于所述第4导电体与所述第4电荷蓄积膜之间；

第7绝缘体，位于所述第5绝缘体与所述第3电荷蓄积膜之间；及

第8绝缘体，位于所述第6绝缘体与所述第4电荷蓄积膜之间；且

所述第7绝缘体及所述第8绝缘体的介电常数大于所述第5绝缘体及所述第6绝缘体的介电常数。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中

所述第3绝缘体及所述第7绝缘体相互分离，

所述第4绝缘体及所述第8绝缘体相互分离。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其还具备：

第2半导体，在所述第1导电体及所述第2导电体的上方，位于所述第1半导体的所述第1部分的上表面上、及所述第1半导体的所述第2部分的上表面上。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中

所述第1电荷蓄积膜及所述第2电荷蓄积膜包含多晶硅或金属。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中

所述第3绝缘体及所述第4绝缘体包含铪(Hf)或锆(Zr)。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其还具备：

第1牺牲材，在所述第1绝缘体与所述第1电荷蓄积膜之间，与所述第3绝缘体排列；及

第2牺牲材，在所述第2绝缘体与所述第2电荷蓄积膜之间，与所述第4绝缘体排列；且

所述第1牺牲材包含与所述第1电荷蓄积膜相接的第1氧化膜、及与所述第1绝缘体相接的第1氮化膜；

所述第2牺牲材包含与所述第2电荷蓄积膜相接的第2氧化膜、及与所述第2绝缘体相接的第2氮化膜。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其还具备：

第9绝缘体，将所述第1半导体、所述第1电荷蓄积膜、所述第2电荷蓄积膜、所述第1绝缘体、所述第2绝缘体、所述第3绝缘体、及所述第4绝缘体中的每一个分离成2个部分；及

第10绝缘体，将所述第1半导体、所述第1电荷蓄积膜、所述第2电荷蓄积膜、所述第1绝缘体、所述第2绝缘体、所述第1牺牲材、及所述第2牺牲材中的每一个分离成2个部分。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中

所述第1氧化膜及所述第2氧化膜包含硼(B)或磷(P)。