[发明专利]半导体激光芯片安装辅助基板以及其制造方法、和半导体激光模块

权利要求书

1.一种半导体激光芯片安装辅助基板，其特征在于，具备：

半导体激光芯片，其具备在长边方向上具有出射端面和后端面的半导体部，从所述出射端面出射激光；和

辅助基板，其安装所述半导体激光芯片，

所述辅助基板与所述半导体部的出射端面侧的第1距离比所述辅助基板与所述半导体部的后端面侧的第2距离小。

2.根据权利要求1所述的半导体激光芯片安装辅助基板，其特征在于，

所述第1距离与所述第2距离的差为1.5μm以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光芯片安装辅助基板，其特征在于，

所述第1距离与所述第2距离的差为10μm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光芯片安装辅助基板，其特征在于，

所述第1距离为16μm以下。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光芯片安装辅助基板，其特征在于，

所述第1距离为12μm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体激光芯片安装辅助基板，其特征在于，

所述半导体激光芯片是激光条芯片。

7.一种半导体激光芯片安装辅助基板的制造方法，是权利要求1～6中任一项所述的半导体激光芯片安装辅助基板的制造方法，其特征在于，包含如下工序：

将半导体激光芯片用保持件以长边方向上的比中央更靠所述出射端面侧为中心按压在所述辅助基板，在该辅助基板进行安装。

8.根据权利要求7所述的半导体激光芯片安装辅助基板的制造方法，其特征在于，

所述保持件是夹头，该夹头的长边方向上与所述半导体激光芯片抵接的两端间的距离即夹头长度相对于所述半导体激光芯片的所述出射端面与所述后端面的距离即谐振器长度的比率为28.5％以上且81.9％以下。

9.根据权利要求8所述的半导体激光芯片安装辅助基板的制造方法，其特征在于，

所述夹头长度相对于所述谐振器长度的比率为44.4％以上且75.0％以下。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体激光芯片安装辅助基板的制造方法，其特征在于，

所述半导体激光芯片是激光条芯片。

11.一种半导体激光模块，其特征在于，具备权利要求1～6中任一项所述的半导体激光芯片安装辅助基板。