[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201980079317.X | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN113169065A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 杉冈真治;岸田拓也 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其对基板进行处理,所述基板处理装置的特征在于,具备:
在上部具有第1开口的有底筒状的内槽;
设于所述内槽的外周部、且在上部具有第2开口的有底筒状的外槽;
将所述内槽的内部与所述外槽的内部连接的第1配管;
设于所述第1配管、且从所述外槽朝向所述内槽供送处理液的泵;
设于所述第1配管、且对从所述第1配管通过的所述处理液进行加热的加热器;
将所述第1配管中的所述加热器与所述内槽之间的配管部以及所述外槽连接的第2配管;以及
设于所述第2配管、且改变从所述第2配管通过的所述处理液的流量的第2配管用阀。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第1配管的一端与所述内槽的底部连接。
3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备第1配管用阀,该第1配管用阀设在所述第1配管中的所述加热器与所述内槽之间,改变从所述第1配管通过的所述处理液的流量,
所述第1配管用阀设在所述第1配管中的与所述第2配管相连的部分与所述内槽之间。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备控制部,该控制部与所述第1配管用阀以及所述第2配管用阀连接,对所述第1配管用阀以及所述第2配管用阀进行控制。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部执行如下的处理:
将所述第1配管用阀开放、且将所述第2配管用阀关闭的第1循环控制处理;以及
将所述第1配管用阀以及所述第2配管用阀开放的第2循环控制处理。
6.根据权利要求3~5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第1配管包括从所述第1配管中的所述加热器与所述第1配管用阀之间的分支部分支且与所述内槽相连的旁通配管,
还具备旁通配管用阀,该旁通配管用阀设在所述旁通配管,改变从所述旁通配管通过的所述处理液的流量,
所述第2配管连接在所述旁通配管中的所述分支部与所述旁通配管用阀之间。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第2配管从所述第2开口通过而与所述外槽的内部连接。
8.一种基板处理方法,其特征在于,
利用权利要求1~7中任一项的基板处理装置对基板进行处理,
所述基板处理方法包括:
a)工序,将基板浸渍于贮存在所述内槽内的所述处理液;
b)工序,在所述工序a)中,将从所述第1配管通过的所述处理液返回至所述内槽,并且将从所述第1配管通过的所述处理液经由经由所述第2配管返回至所述外槽;以及
c)工序,在所述工序b)中,对从所述第1配管通过的所述处理液进行加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造