[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

具备：内槽(341)；设于内槽(341)的外周部的外槽(343)；将内槽(341)和外槽(343)连接的第1配管(50)；对从第1配管(50)通过的磷酸水溶液进行加热的加热器(52)；设在第1配管(50)中的加热器(52)与内槽(341)之间的开闭阀(513)；将第1配管(50)中的加热器(52)和内槽(341)之间的配管部与外槽(343)连接的第2配管(60)；以及设在第2配管(60)的开闭阀(61)。

技术领域

本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。特别是，涉及使基板浸渍于贮存在槽内的处理液而对基板进行处理的技术。作为处理对象的基板例如包括半导体基板、液晶显示装置以及有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(Flat PanelDisplay)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板、印刷基板等。

背景技术

在半导体装置的制造工序中由进行将半导体晶片浸渍于贮存在处理槽内的磷酸水溶液内，对形成于基板的表面的氮化硅膜进行蚀刻的、所谓湿蚀刻的情况。进行这种湿蚀刻的基板处理装置例如记载于专利文献1。

专利文献1的基板处理装置具备贮存供基板浸渍的磷酸水溶液的内槽、回收从内槽的上部溢出的磷酸水溶液的外槽、以及连接外槽和内槽的循环配管。在循环配管设有循环泵、加热器、以及过滤器。循环配管对从外槽抽出的磷酸水溶液进行加热以及过滤并返回至内槽。通过设有循环配管，将供基板浸渍的内槽的磷酸水溶液的温度保持为期望的温度，并且将通过蚀刻而析出的异物过滤。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2013-021066号公报

发明内容

然而，在现有技术的情况下，通过将磷酸水溶液返回至内槽，有可能在内槽中产生磷酸水溶液的流动的不均匀。像这样，若在内槽内产生不均匀的流动，则有可能在磷酸水溶液中，在磷酸浓度或者从基板熔析的硅的浓度产生偏差，由此，基板的蚀刻量可能会在面内不均。

于是，本发明的目的在于提供降低处理槽内的基板处理的面内偏差的技术。

为了解决上述课题，第1方面为处理基板的基板处理装置，其具备：在上部具有第1开口的有底筒状的内槽；设于所述内槽的外周部、且在上部具有第2开口的有底筒状的外槽；将所述内槽的内部与所述外槽的内部连接的第1配管；设于所述第1配管、且从所述外槽朝向所述内槽供送处理液的泵；设于所述第1配管、且对从所述第1配管通过的所述处理液进行加热加热器；将所述第1配管中的所述加热器与所述内槽之间的配管部以及所述外槽连接的第2配管；以及设于所述第2配管、且改变从所述第2配管通过的所述处理液的流量的第2配管用阀。

第2方面为第1方面的基板处理装置，所述第1配管的一端与所述内槽的底部连接。

第3方面为第1方面或者第2方面的基板处理装置，其还具备第1配管用阀，该第1配管用阀设在所述第1配管中的所述加热器与所述内槽之间，改变从所述第1配管通过的所述处理液的流量，所述第1配管用阀设在所述第1配管中的与所述第2配管相连的部分与所述内槽之间。

第4方面为第3方面的基板处理装置，其还具备控制部，该控制部与所述第1配管用阀以及所述第2配管用阀连接，对所述第1配管用阀以及所述第2配管用阀进行控制。

第5方面为第4方面的基板处理装置，所述控制部执行如下的处理：将所述第1配管用阀开放、且将所述第2配管用阀关闭的第1循环控制处理；以及将所述第1配管用阀以及所述第2配管用阀开放的第2循环控制处理。