[发明专利]磁膜

权利要求书

1.一种电绝缘多氧化物单层磁膜，所述电绝缘多氧化物单层磁膜包含铁、锰和锌，所述电绝缘多氧化物单层磁膜具有大于约100微米的平均厚度以及相反的主要第一表面和主要第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一者包括形成于所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的基本上平行的第一沟槽的第一规则图案，所述第一规则图案包括第一节距P1，所述第一沟槽具有平均半深全宽W，W/P1≥0.1。

2.根据权利要求1所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，所述电绝缘多氧化物单层磁膜在小于约100℃的温度下具有大于约10毫欧-米的DC电阻率。

3.根据权利要求1或2所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，所述电绝缘多氧化物单层磁膜在大于约5MHz的频率下具有大于约10毫欧-米的室温电阻率。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，其中所述磁膜的铁含量在约48重量％至约51重量％的范围内，所述磁膜的锰含量在约10重量％至约20重量％的范围内，并且所述磁膜的锌含量在约3重量％至约13.5重量％的范围内。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，其中所述主要第一表面和所述主要第二表面的最大侧向尺寸与所述平均厚度的比率大于约300。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，其中所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者还包括形成于所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的基本上平行的第二沟槽的第二规则图案，所述第二规则图案包括小于P1的第二节距P2。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，其中所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者具有大于约100nm的平均表面粗糙度Sa。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，其中所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者具有大于约200nm的rms表面粗糙度Sq。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，其中所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者具有带负偏态Ssk的表面粗糙度。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电绝缘多氧化物单层磁膜，其中所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者还包括形成于所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的多个开放性腔，每个开放性腔包括在所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者处的封闭底部和开放性顶部以及大于约1000nm的深度，其中所述开放性腔的所述开放性顶部具有总面积A1，所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者具有总面积A2，并且其中A1/A2≥0.001。

11.一种电磁干扰抑制膜，所述电磁干扰抑制膜包括多个堆叠的电绝缘多氧化物单层磁膜，每个单层磁膜包括由互连间隙网络彼此分开的多个磁岛，每个磁岛包括铁和锰以及主要第一表面，所述主要第一表面包括形成于所述主要第一表面中的基本上平行的沟槽的规则图案，所述图案包括节距P3，所述沟槽具有平均半深全宽W3，W3/P3≥0.1。

12.一种单层锰锌铁氧体，所述单层锰锌铁氧体具有大于约100微米的平均厚度以及相反的主要第一表面和主要第二表面，所述单层锰锌铁氧体的所述第一表面和所述第二表面中的至少一者包括形成于所述单层锰锌铁氧体的所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的基本上平行的第一沟槽的第一规则图案，所述第一规则图案的傅里叶变换在第一空间频率F1下具有峰，所述第一沟槽具有平均半深全宽W，W*F1≥0.1。