[发明专利]磁膜在审

专利信息
申请号: 201980081107.4 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN113168947A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 禹成宇;徐政柱;詹尼弗·J·索科尔;马修·R·C·阿特金森 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01F1/34 分类号: H01F1/34;C04B35/26;H01F41/16;H01F41/02;H05K1/02;H01F38/14;H05K9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李博
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁膜
【说明书】:

发明描述了一种电绝缘多氧化物单层磁膜,所述电绝缘多氧化物单层磁膜包含铁、锰和锌。所述电绝缘多氧化物单层磁膜具有大于约100微米的平均厚度以及相反的主要第一表面和主要第二表面。所述第一表面和所述第二表面中的至少一者具有形成于所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的基本上平行的第一沟槽的第一规则图案。所述第一规则图案包括第一节距P1,所述第一沟槽具有平均半深全宽W,并且W/P1≥0.1。

背景技术

磁性材料,诸如铁氧体是已知的。磁性材料的片材可通过流延法形成。

发明内容

在本说明书的一些方面,提供了一种电绝缘多氧化物单层磁膜,其包含铁、锰和锌。所述电绝缘多氧化物单层磁膜具有大于约100微米的平均厚度以及相反的主要第一表面和主要第二表面。所述第一表面和所述第二表面中的至少一者具有形成于所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的基本上平行的第一沟槽的第一规则图案。所述第一规则图案包括第一节距P1,所述第一沟槽具有平均半深全宽W,并且W/P1≥0.1。

在本发明的一些方面,提供了一种电磁干扰抑制膜,其包括多个堆叠的电绝缘多氧化物单层磁膜。每个单层磁膜包括由互连间隙网络彼此分开的多个磁岛。每个磁岛包括铁和锰以及主要第一表面,所述主要第一表面具有形成于所述主要第一表面中的基本上平行的沟槽的规则图案。所述图案具有节距P3,所述沟槽具有平均半深全宽W3,并且W3/P3≥0.1。

在本说明书的一些方面,提供了一种单层锰锌铁氧体,其具有大于约100微米的平均厚度和相反的主要第一表面和主要第二表面。所述单层锰锌铁氧体的所述第一表面和所述第二表面中的至少一者包括形成于所述单层锰锌铁氧体的所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的基本上平行的第一沟槽的第一规则图案。所述第一规则图案的傅里叶变换在第一空间频率F1下具有峰,所述第一沟槽具有平均半深全宽W,并且W*F1≥0.1。

在本说明书的一些方面,提供了一种电绝缘多氧化物单层磁膜,其包括由互连间隙网络彼此分开的多个磁岛。每个磁岛包括铁和锰以及主要第一表面,所述主要第一表面包括形成于所述主要第一表面中并且以相应节距P1和P2布置的基本上平行的第一沟槽和第二沟槽的第一规则图案和第二规则图案。P2与P1不同。

在本说明书的一些方面,提供了一种制备磁膜的方法。所述方法包括:提供烧结陶瓷晶锭,所述烧结陶瓷晶锭包含含有铁和锰的多氧化物;使用线锯切穿所述烧结陶瓷晶锭以提供未开裂膜;以及有意地使所述未开裂膜破裂以提供磁膜。所述磁膜包括由互连间隙网络彼此分开的多个磁岛。

附图说明

图1A为磁膜的示意性顶部视图;

图1B为图1A的磁膜的示意性底部视图;

图1C为磁膜的示意性底部视图;

图2为垂直于磁膜的第一规则图案的横截面中的高度分布的示意图;

图3A为磁膜的示意性顶部透视图;

图3B为图3A的磁膜的示意性底部透视图;

图4A-图4C为磁膜的主表面的高度分布的曲线图;

图5A-图5C分别为图4A-图4C的高度分布的傅里叶变换的曲线图;

图6A-图6B为磁膜的示意性剖视顶部视图;

图6C为磁膜的示意性剖视图;

图7A-图7B为磁膜的示意性顶部和底部视图;

图8A-图8B为磁岛的示意性顶部和底部视图;

图9为电磁干扰抑制膜的示意性剖视图;

图10为包括应力消除图案的磁膜的示意性顶部视图;

图11A-图11b为包括由互连间隙网络彼此分开的磁岛的磁膜的示意性顶部视图;

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