[发明专利]非易失性存储器的位线升压

说明书

本发明描述了一种方法和结构，该方法和结构用于在非易失性存储器中的编程操作期间进行位线升压。以恒定电流在第一预充电时间段内驱动禁止位线。将编程位线升压延迟第二预充电时间段，同时继续驱动禁止位线以考虑禁止位线上的电阻电容(RC)延迟。此后，在第二时间段结束时将编程位线升压到编程电压电平。对位线的远离位线的驱动端的远端处的信号电平进行感测，以确定禁止位线何时达到电平(例如，VDDSA)或电流限制被关断的电平。此后，可执行位线升压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月27日提交的美国非临时申请序列号16/454,468的优先权和权益。

技术领域

本公开涉及存储器系统，并且具体地讲，涉及具有负字线电压的用于擦除操作的存储器方法和系统。

背景技术

存储器设备通常被提供作为计算机或其他电子设备中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和闪存存储器。

闪存存储器设备已被开发为用于广泛范围的电子应用的普及非易失性存储器来源。非易失性存储器是可在不施加电力的情况下长时间保持其数据值的存储器。闪存存储器设备通常使用单晶体管存储器单元，该单晶体管存储器单元允许高存储器密度、高可靠性和低功耗。通过电荷存储结构(例如，浮栅或电荷陷阱)的编程(有时被称为写入)或其他物理现象(例如，相变或极化)，单元的阈值电压的变化确定每个单元的数据值。闪存存储器和其他非易失性存储器的常见用途包括个人计算机、个人数字助理(PDA)、数字相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、车辆、无线电设备、移动电话和可移除存储器模块，并且非易失性存储器的用途继续扩展。

NAND闪存存储器设备是一种常见类型的闪存存储器设备，因此被称为基本存储器单元配置被布置的逻辑形式。通常，NAND闪存存储器设备的存储器单元阵列被布置成使得阵列的行的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成接入线路，诸如字线。阵列的列包括在一对选择线(诸如源极选择线和漏极选择线)之间从源极到漏极串联连接在一起的存储器单元的串(通常被称为NAND串)。

发明内容

本公开整体涉及以下存储器系统和方法。

本公开所公开的实施方案的一个方面包括用于编程的非易失性存储器(例如，NAND存储器)预充电方法，该方法包括：接收编程命令；将编程位线保持在低电压电平；接通连接到存储器单元的竖直串的选择栅极漏极；当选择栅极漏极处于高电平时，以恒定电流在第一预充电时间段内驱动禁止位线；将编程位线升压延迟第二预充电时间段，同时继续驱动禁止位线以考虑该禁止位线上的电阻电容(RC)延迟；以及在第二时间段结束时将编程位线升压到编程电压电平。

在本公开的一个方面，该方法包括：将编程位线升压延迟第二预充电时间段基于彼此相邻的编程位线和禁止位线的电容耦合来克服禁止位线中的RC延迟。

在本公开的一个方面，该方法包括：禁止位线和编程位线以电容方式耦合。

在本公开的一个方面，该方法包括：驱动禁止位线包括在禁止位线的近端处施加电压。

在本公开的一个方面，该方法包括：延迟编程位线升压包括感测禁止位线的远端处的电压电平。

在本公开的一个方面，该感测包括：在定位于位线的远端处的比较器处读取禁止位线的远端处的电压，以确定禁止位线的远端处的电压是否达到禁止电压电平。

在本公开的一个方面，该读取包括：改变禁止线的远端处的感测存储器单元的状态，该存储器单元在禁止位线的远端达到禁止电压时改变状态。

在本公开的一个方面，该读取包括改变连接到禁止位线的远端的相变存储器阵列的存储器单元中的相位。