[发明专利]电路以及电气装置

权利要求书

1.一种电路，具有：

传感器元件，输出电流信号；

肖特基势垒二极管，与所述传感器元件连接；和

电压驱动的晶体管，将栅极电极连接于所述传感器元件与所述肖特基势垒二极管的连接点，

所述肖特基势垒二极管在形成肖特基结的金属层与半导体层之间的一部分的区域具有绝缘体层。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，

所述绝缘体层在与肖特基结相邻的区域将一面接合于所述金属层，将相反面接合于所述半导体层。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的电路，其中，

在俯视下被所述金属层与所述半导体层的肖特基结所包围的区域在所述金属层与所述半导体层之间具有所述绝缘体层。

4.根据权利要求1至权利要求3之中的任意一项所述的电路，其中，

所述电路具有：所述金属层与所述半导体层的肖特基结在反向电压施加时处于击穿前的状态时，流过通过所述绝缘体层的反向漏电流的反向电压电流特性。

5.根据权利要求4所述的电路，其中，

所述电路具有：通过所述绝缘体层的反向漏电流比所述肖特基结的反向漏电流上升得大的反向电压电流特性。

6.根据权利要求5所述的电路，其中，

对通过所述绝缘体层的反向漏电流比所述肖特基结的反向漏电流上升得大的电压范围、和低于该电压范围的以肖特基结的反向漏电流为主的电压范围进行比较，前者的温度依赖性比后者的温度依赖性小。

7.根据权利要求1至权利要求6之中的任意一项所述的电路，其中，

所述绝缘体层的边缘部形成为具有厚度朝向边缘而逐渐减小的倾斜度，从该边缘越接近于比所述边缘部更靠内侧的中央部，该倾斜度越变化为陡峭倾斜度。

8.根据权利要求1至权利要求7之中的任意一项所述的电路，其中，

所述肖特基势垒二极管处于第1电位侧，所述传感器元件处于比所述第1电位低的第2电位侧。

9.根据权利要求1至权利要求7之中的任意一项所述的电路，其中，

所述传感器元件处于第1电位侧，所述肖特基势垒二极管处于比所述第1电位低的第2电位侧。

10.一种电气装置，具有权利要求1至权利要求9之中的任意一项所述的电路。