[发明专利]电路以及电气装置

说明书

电路具有：输出电流信号的传感器元件(S1)、与传感器元件连接的肖特基势垒二极管(D1)、以及将栅极电极连接于传感器元件与肖特基势垒二极管的连接点的电压驱动的晶体管(T1)，肖特基势垒二极管在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)。通过绝缘体层(3)，可流过反向的隧道电流。

技术领域

本公开涉及包含传感器元件的电路以及电气装置。

背景技术

由于传感器元件的电流输出是微小电流的情况较多，因此需要暂时将信号放大并进行噪声除去之后输入至微型计算机，然后使晶体管等的有源元件进行工作。

发明内容

-解决课题的手段-

本公开的一个方式的电路具有：传感器元件，输出电流信号；肖特基势垒二极管，与所述传感器元件连接；以及电压驱动的晶体管，将栅极电极连接于所述传感器元件与所述肖特基势垒二极管的连接点，所述肖特基势垒二极管在形成肖特基结的金属层与半导体层之间的一部分的区域具有绝缘体层。

附图说明

图1是本公开的一实施方式所涉及的电路图。

图2A是本发明例的肖特基势垒二极管的垂直剖视图。

图2B是本发明例的肖特基势垒二极管的水平剖视图。

图3是比较例的肖特基势垒二极管的剖视图。

图4是表示比较例的二极管、本发明例的二极管的反向电压电流特性的图表。

图5是表示本发明例的二极管的反向电压电流特性的温度依赖性的图表。

图6是表示本发明例的肖特基势垒二极管的绝缘体层的边缘部构造的剖视图。

图7是本公开的其他的一个实施方式所涉及的电路图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的一实施方式进行说明。

如图1所示，本实施方式的电路具有：传感器元件S1，输出电流信号；肖特基势垒二极管D1，将阳极连接于传感器元件S1；和电压驱动晶体管T1，将栅极电极连接于传感器元件S1与肖特基势垒二极管D1的连接点。

肖特基势垒二极管D1(D2)如图2A、2B所示，在形成肖特基结SB的金属层1与半导体层2之间的一部分的区域具有绝缘体层3。

在上下夹着包含硅氧化膜等的绝缘体层3并与绝缘体层3接合的一个金属层1、另一个半导体层2是在与绝缘体层3相邻的区域形成肖特基结SB的金属和半导体的层。

在半导体层2的下表面形成有阴极电极金属层4，在图1的电路图中相当于与高电位侧连接的电极。

如图1所示，肖特基势垒二极管D1被连接于高电位(Hi)侧。传感器元件S1相比于肖特基势垒二极管D1，被连接于低电位(GND)侧。

肖特基势垒二极管D1是阴极被设为高电位侧、阳极被设为低电位侧的反向连接。

作为两者的连接关系，将传感器元件S1连接于肖特基势垒二极管D1的阳极。

构成肖特基势垒二极管D1处于第1电位侧、传感器元件S1处于比第1电位低的第2电位侧的电路。

或者，如图7所示传感器元件S1处于第1电位侧、肖特基势垒二极管D2处于比第1电位低的第2电位侧的电路也同样能够实施。该情况下，肖特基势垒二极管D2被连接于低电位(GND)侧。传感器元件S1相比于肖特基势垒二极管D2，被连接于高电位(Hi)侧。

肖特基势垒二极管D2是阴极被设为高电位侧、阳极被设为低电位侧的反向连接。