[发明专利]光发送装置

权利要求书

1.一种光发送装置，具备：

第1多值光相位调制部；以及

第1半导体光放大部，放大从所述第1多值光相位调制部输出的第1信号光，

所述第1半导体光放大部包括由n-InP构成的n型半导体层、一对光封闭层、第1活性区域、由p-InP构成的p型半导体层、由n-InP或者添加Fe的InP构成的电流阻挡层、由p-InGaAs构成的p型接触层、n型电极以及p型电极，所述第1活性区域包括第1多量子阱构造，该第1多量子阱构造包括由无掺杂的InGaAsP构成的多个第1阱层和由无掺杂的InGaAsP构成的多个势垒层，

所述第1活性区域的两侧被与所述第1活性区域相接的所述电流阻挡层埋入，

所述电流阻挡层是n-InP层或添加Fe的InP层，

在将所述多个第1阱层的第1层数设为n₁，将所述第1活性区域的第1长度设为L₁(μm)时，满足

n₁＝5并且400≤L₁≤563或者

n₁＝6并且336≤L₁≤470或者

n₁＝7并且280≤L₁≤432或者

n₁＝8并且252≤L₁≤397或者

n₁＝9并且224≤L₁≤351或者

n₁＝10并且200≤L₁≤297的条件，

所述第1半导体光放大部具有8dB以上的增益，

所述光发送装置输出具有10％以下的误差矢量幅度的光信号。

2.根据权利要求1所述的光发送装置，其中，

n₁＝5并且500≤L₁≤563或者

n₁＝6并且420≤L₁≤470或者

n₁＝7并且350≤L₁≤432或者

n₁＝8并且315≤L₁≤397或者

n₁＝9并且280≤L₁≤351或者

n₁＝10并且250≤L₁≤297。

3.根据权利要求1所述的光发送装置，其中，

n₁＝5并且400≤L₁≤500或者

n₁＝6并且336≤L₁≤400或者

n₁＝7并且300≤L₁≤400或者

n₁＝8并且300≤L₁≤397。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的光发送装置，其中，

所述第1半导体光放大部被控制成在所述第1半导体光放大部的增益饱和区域动作。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的光发送装置，其中，

还具备向所述第1多值光相位调制部输出光的半导体激光器，

所述第1多值光相位调制部、所述第1半导体光放大部以及所述半导体激光器形成于一张半导体基板上。