[发明专利]光发送装置

说明书

光发送装置(1)具备第1多值光相位调制部(10)和第1半导体光放大部(30)。第1半导体光放大部(30)的第1活性区域(32)包括第1多量子阱构造。在将多个第1阱层(32a)的第1层数设为nsubgt;1/subgt;，将第1活性区域(32)的第1长度设为Lsubgt;1/subgt;(μm)时，(a)nsubgt;1/subgt;＝5并且400≤Lsubgt;1/subgt;≤563或者(b)nsubgt;1/subgt;＝6并且336≤Lsubgt;1/subgt;≤470或者(c)nsubgt;1/subgt;＝7并、280≤Lsubgt;1/subgt;≤432或者(d)nsubgt;1/subgt;＝8并且252≤Lsubgt;1/subgt;≤397或者(e)nsubgt;1/subgt;＝9并且224≤Lsubgt;1/subgt;≤351或者(f)nsubgt;1/subgt;＝10并且200≤Lsubgt;1/subgt;≤297。

技术领域

本发明涉及光发送装置。

背景技术

日本特开2014-7642号公报(专利文献1)公开了具备光I/Q调制器和半导体光放大器(SOA)的光发送装置。半导体光放大器放大从光I/Q调制器输出的光信号。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-7642号公报

发明内容

在专利文献1公开的光发送装置中，在用半导体光放大器(SOA)放大从光I/Q调制器输出的光信号时，有时通过光I/Q调制器赋予的光信号的相位失真，从光发送装置输出的光信号的质量劣化。本发明是鉴于上述课题完成的，其目的在于提供能够输出具有提高的质量和强度的光信号并且降低功耗的光发送装置。

本发明的光发送装置具备第1多值光相位调制部和第1半导体光放大部。第1半导体光放大部放大从第1多值光相位调制部输出的第1信号光。第1半导体光放大部包括第1活性区域。第1活性区域包括包含多个第1阱层的第1多量子阱构造。在将多个第1阱层的第1层数设为n₁，将第1活性区域的第1长度设为L₁(μm)时，(a)n₁＝5并且400≤L₁≤563或者(b)n₁＝6并且336≤L₁≤470或者(c)n₁＝7并且280≤L₁≤432或者(d)n₁＝8并且252≤L₁≤397或者(e)n₁＝9并且224≤L₁≤351或者(f)n₁＝10并且200≤L₁≤297。

本发明的光发送装置能够提高从光发送装置输出的光信号的质量和强度，并且具有降低的功耗。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的光发送装置的概略图。

图2是实施方式1以及实施方式3所涉及的光发送装置的、沿图1、图13、图14以及图17所示的剖面线II-II的概略剖面图。

图3是示出通过仿真得到的、在第1半导体光放大部流过100mA的电流的情况下第1半导体光放大部的增益成为11dB的第1层数n₁与第1长度L₁的关系和在第1半导体光放大部流过100mA的电流的情况下第1半导体光放大部的增益成为8.8dB的第1层数n₁与第1长度L₁的关系的图表。

图4是示出通过仿真得到的、在第1层数n₁是5并且第1半导体光放大部流过的电流是100mA的情况下的、第1长度L₁与从光发送装置输出的信号光的EVM的关系的图表。