[发明专利]光电子半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(10)，所述光电子半导体器件具有：

有源区(120)，所述有源区具有用于构成量子阱结构的子层(111、112、113)，

其中在所述量子阱结构之内的能量级差在所述光电子半导体器件(10)的中央区域(14)中比在所述光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中更小。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件(10)，

其中由所述量子阱结构的所述子层(111、112、113)在所述边缘区域(15)中相对于所述中央区域(14)较薄的层厚度引起不同的能量级差。

3.一种光电子半导体器件(10)，所述光电子半导体器件具有：

有源区(120)，所述有源区具有子层，所述子层适合于构成量子阱结构，

其中在所述有源区(120)中在所述光电子半导体器件的中央区域(14)中构成量子点结构(122)，并且在所述光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中不构成量子点结构。

4.根据权利要求3所述的光电子半导体器件(10)，

其中用于构成所述有源区的所述子层在所述边缘区域(15)中具有比在所述中央区域(14)中更小的层厚度。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中用于产生所述有源区(120)的所述子层(111、112、113)在所述边缘区域(15)中沿着与水平方向相交的方向构成。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，还具有：

第一导电类型的第一半导体层(116)，和

第二导电类型的第二半导体层(118)，其中所述有源区(120)设置在所述第一和第二半导体层(116、118)之间。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，所述光电子半导体芯片是发光二极管。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的光电子半导体器件(10)，所述光电子半导体芯片是转换器，所述转换器适合用于接收第一波长的电磁辐射，并且发射大于所述第一波长的第二波长的电磁辐射。

9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述光电子半导体器件的侧壁与水平方向相交。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的光电子半导体器件(10)，

其中所述有源区的子层(111、112、113)设置在梯形构成的衬底区域之上。

11.一种用于制造光电子半导体器件的方法，具有：

将生长衬底(100)的第一主表面(104)结构化(S100)，使得所述第一主表面(104)具有水平区域(106)和倾斜侧面(108)；

在所述第一主表面(104)之上外延生长(S110)半导体层结构，所述半导体层结构包含用于制造有源区(120)的子层(111、112、113)，所述有源区具有量子阱结构，使得所述层结构在所述倾斜侧面(108)的区域中具有比在所述水平区域中更小的层厚度；和

在所述倾斜侧面的区域中分割各个光电子半导体器件，使得已在所述第一主表面(14)的所述水平区域(106)之上生长的半导体层结构位于所述光电子半导体器件的中央区域(14)中，并且已在所述倾斜侧面(108)之上生长的半导体层结构位于所述光电子半导体器件(10)的边缘区域(15)中。

12.根据权利要求11所述的方法，

其中所述半导体层结构的生长(S115)包括第一导电类型的第一半导体层(116)的生长，用于制造所述有源层(120)的子层(111、112、113)的生长和第二导电类型的第二半导体层(118)的生长。